[제20250610-TT-01호] 2025년 6월 10일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

SK하이닉스 “한계 돌파”…초미세 공정 플랫폼 구축

(2025년 6월 10일, 한국경제, 김채연 기자)

[핵심 요약]

[1] 초미세 D램 공정 한계 돌파 위한 차세대 기술 플랫폼 발표

SK하이닉스가 10나노 이하 초미세 D램 제조 한계를 뛰어넘을 차세대 기술 로드맵을 공식 발표함. 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 기반을 구축하겠다는 전략임.

[2] ‘4F² VG(수직 게이트)’ 플랫폼 도입 공식화

SK하이닉스는 일본 교토에서 열린 ‘IEEE VLSI 심포지엄 2025’에서 미래 D램 기술인 ‘4F² VG’ 플랫폼 도입을 공식화함. 이 플랫폼은 구조와 소재, 구성 요소 혁신을 바탕으로 초미세 공정 한계를 돌파할 전략임.

[3] 고집적·고속·저전력 D램 구현 목표

‘4F² VG’ 플랫폼은 D램 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 함. 같은 크기 칩에 더 많은 셀을 넣어 고용량 메모리 생산이 가능함.

[4] 3차원(3D) D램 기술 개발 병행

SK하이닉스는 ‘4F² VG’ 플랫폼과 함께 3차원(3D) D램 기술을 준비하며, 기술적 한계를 돌파하고 미래 메모리 시장에서 경쟁력을 확보하겠다는 계획임.

[5] 기술 혁신을 통한 장기 경쟁력 확보

SK하이닉스는 구조·소재·구성 요소 혁신을 통해 D램의 성능과 용량 개선에 한계에 부딪힌 현상을 극복하고, 장기적으로 세계 메모리 산업을 선도하겠다는 비전을 제시함