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ANALYSIS

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[제20260701-TT-01호] 2026년 7월 1일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

  • 이도윤
  • 7월 2일
  • 1분 분량

삼성전자, 1.4나노 2029년 양산…TSMC·인텔과 초미세 경쟁 가속

(2026년 7월 1일, 아이뉴스24, 권서아 기자)


[핵심 요약]


[1] 1.4나노 공정 2029년 양산 로드맵 재확인

삼성전자가 SAFE 포럼 2026에서 1.4나노(SF1.4) 공정을 2029년 양산하고 개선 공정인 SF1.4플러스는 2030년 선보일 계획을 공개하며 초미세 공정 개발 로드맵 제시


[2] 2나노 공정 세부 로드맵 공개

2나노 공정을 SF2부터 SF2P, SF2P플러스, SF2X까지 단계적으로 고도화할 계획을 발표했으며 설계·공정 통합 최적화(DTCO)를 통해 성능과 수율 향상 추진


[3] HBM4와 4나노 공정 결합한 AI 전략 강화

HBM4 베이스다이를 4나노(SF4X) 공정으로 개발하고 초당 10Gbps 이상 신호 검증을 완료하는 등 AI 반도체 성능 향상을 위한 기술 경쟁력 확보 추진


[4] AI 고객사 확대와 생산능력 강화

4나노 공정이 사실상 최대 생산능력 수준으로 가동되는 가운데 미국 테일러 공장에서 차세대 AI 칩 생산을 준비하며 AI 반도체 고객사 확대 기대


[5] TSMC·인텔과 1.4나노 경쟁 본격화

TSMC는 2028년, 인텔은 2029년 1.4나노급 공정 양산을 목표로 개발을 진행하고 있어 글로벌 파운드리 기업 간 초미세 공정 경쟁이 더욱 치열해질 전망

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