[제20260727-TM-01호] 2026년 7월 27일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약

삼성 화성팹 확장…D램 병목 뚫는다

(2026년 7월 27일, 서울경제, 이석진 기자)

[핵심 요약]

[1] 화성캠퍼스에 D램 엔드팹 통합 추진

삼성전자가 화성캠퍼스 제1단지(H1)에 범용 D램 엔드팹을 구축하고 화성 제2단지(H2)와 천안캠퍼스에 분산된 생산시설을 통합해 생산 효율과 공급 능력을 높이는 작업에 착수.

[2] 기존 클린룸 활용으로 생산능력 확대

구형 메모리 라인 철거 이후 확보한 유휴 클린룸을 활용해 신규 엔드팹을 구축하면서 신규 팹 건설보다 투자비와 공사 기간을 줄이고 D램 생산 확대를 앞당길 계획.

[3] 메인팹과 엔드팹 일원화로 병목 해소

메인팹과 엔드팹이 서로 다른 사업장에 위치해 발생했던 물류 이동과 생산 지연 문제를 해소하고 웨이퍼 이송 효율을 높여 범용 D램 생산 병목을 개선하는 것이 핵심 목적.

[4] 연말까지 범용 D램 생산능력 15% 확대 기대

생산시설 재편이 완료되면 연말 기준 범용 D램 생산능력이 연초 대비 약 15% 증가할 것으로 예상되며 AI와 PC 시장 회복에 따른 메모리 수요 증가에도 적극 대응할 전망.

[5] 빅테크 고객사 수요 대응 강화

범용 D램 공급 확대를 통해 애플 등 글로벌 빅테크 기업의 메모리 수요에 안정적으로 대응하고 메모리 시장 경쟁력을 더욱 강화할 것으로 기대.