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현대모비스, SiC 전력반도체 내재화 속도...독자 특허 확보하고 양산 조직 꾸려 (2026년 8월 24일, 전자신문, 함봉균 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260824000225 [핵심 요약] [1] SiC 전력반도체 독자 기술 확보 현대모비스가 SiC 전력반도체 관련 핵심 특허를 잇달아 등록하며 차량용 반도체 내재화를 본격화하고 있으며 약 4년간 연구개발한 트렌치 소자 기술을 통해 전력 손실을 줄이고 칩 크기를 소형화하는 기반을 마련함 [2] 양산 최적화 전담 조직 신설 현대모비스는 온세미컨덕터 출신 인력을 영입하고 IGBT 양산기술최적화TFT를 신설해 IGBT와 SiC 전력반도체의 공정 수율을 높이고 품질을 안정화하는 등 양산 준비를 강화하고 있음 [3] 국내 파운드리와 양산 체계 구축 현대모비스는 Si 및 SiC 전력반도체를 자체 설계하고 국내 파운드리와 협력해 양산 체계를 구축하면서 모터·인버터·파워모듈·전

삼성전자, 美 테일러팹 2기 구축 속도…공급망에 장비 '선제 인증' 주문 (2026년 8월 20일, ZDNet Korea, 장경윤 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20260820103918 [핵심 요약] [1] 테일러 2기 팹, 연말 착공 준비 삼성전자가 미국 테일러 파운드리 2기 팹을 2030년 양산 목표로 올해 말 착공하기 위해 준비에 속도를 내고 있으며, 1기 팹은 올해 연말 가동을 목표로 2나노 장비 입고와 설치가 진행 중 [2] 장비 협력사에 SEMI 인증 선제 요청 삼성전자는 테일러 2기 팹의 구체적인 사양이 확정되기 전부터 주요 반도체 장비 협력사에 설비 도입을 위한 SEMI 인증을 미리 획득하도록 요청하며 생산라인 구축을 앞당기려는 움직임 [3] 2나노 기반 최첨단 파운드리 생산거점 테일러 1기 팹은 업계 최첨단인 2나노 공정을 주력 양산 대상으로 삼고 있으며 테슬라가 핵심 고객사로 거론되는 가운

D램 급등세 꺾이자 이번엔 낸드 병목… 범용 시장 파고드는 中 YMTC (2026년 8월 19일, 한국일보, 이윤주 기자) 원문보기: https://www.hankookilbo.com/news/article/A2026081915300000695?did=NA [핵심 요약] [1] D램보다 낸드 가격 상승세 확대 AI 데이터센터용 eSSD 수요가 급증하면서 낸드 공급 병목이 심화되고 있으며 3분기 eSSD 계약가격은 20~25% 추가 상승할 전망으로 D램보다 강한 가격 상승세가 예상됨 [2] eSSD 수요 급증에 낸드 공급 부족 심화 eSSD가 전체 낸드 비트 출하량에서 차지하는 비중이 지난해 2분기 26%에서 올해 2분기 48%로 크게 높아졌지만 메모리 업체들의 신규 낸드 증설은 제한적이어서 공급 부족이 이어지는 상황 [3] 삼성·SK하이닉스는 고부가 eSSD에 생산 집중 삼성전자와 SK하이닉스가 제한된 낸드 생산능력을 수익성이 높은 기업용 eSSD

정부 '반도체 속도전' 반영…SKH, 용인·청주 증설 총력 (2026년 8월 17일, 아주경제, 조성준 기자) 원문보기: https://www.ajunews.com/view/20260817140812474 [핵심 요약] [1] 용인 1기 팹 첫 클린룸 가동 3개월 앞당겨 SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 첫 클린룸 가동 시점을 당초 2027년 5월에서 2월로 앞당겼으며 총 31조원을 투입해 2~6단계 클린룸도 2030년 말까지 순차 구축할 계획 [2] 용인 2단계 팹도 이달 착공 지난 4월 2단계 골조 기초공사에 들어간 데 이어 이달 건물 착공에 나서며 3개의 클린룸을 추가해 향후 생산능력을 확대할 기반을 마련 [3] 청주 M15X, 차세대 D램 생산능력 확대 청주 M15X는 당초 계획보다 앞당겨 지난해 10월 첫 클린룸을 열었고 올해 1분기부터 웨이퍼 투입을 시작했으며 HBM을 포함한 차세대 D램 생산을 위해 약 20조원을 투자 [4

캐파 두 배로 키우는 CXMT…'기술력ㆍ투자' 메모리 3사에 얼마나 위협적? (2026년 8월 12일, 이투데이, 이수진 기자) 원문보기: https://www.etoday.co.kr/news/view/2613815 [핵심 요약] [1] CXMT, 생산능력 두 배 확대 추진 중국 CXMT가 베이징·상하이·허페이 등에서 신규 공장 건설을 추진하며 월 웨이퍼 생산능력을 현재 30만장에서 60만장 이상으로 확대할 전망 [2] 대규모 투자로 범용 D램 공략 CXMT는 중국 정부의 지원과 성공적인 기업공개를 통해 투자 재원을 확보했으며 DDR4 등 범용 D램 생산을 확대하면서 시장에서 영향력을 키우는 상황 [3] 단기간에 메모리 3사 추월은 어려워 공장 건설부터 장비 반입과 수율 안정화까지 수년이 걸리는 만큼 증설 계획이 곧바로 공급 증가로 이어지지는 않아 단기간에 삼성전자·SK하이닉스·마이크론을 위협하기는 어렵다는 분석 [4] 확보한 자금은 기술 개발에