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“아직도 폰이 안 꺼졌네”…전력관리·성능 다 잡은 스냅드래곤 8 엘리트 5세대 (2026년 4월 22일, 전자신문, 이형두 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260422000140 [핵심 요약] [1] 전성비 중심 설계 강조 스냅드래곤 8 엘리트 5세대는 전력 대비 성능(전성비)을 극대화하며 장시간 구동 성능에서 강점 확인 [2] 배터리 지속시간 대폭 개선 실측 기준 완충 후 수일간 사용이 가능할 정도로 배터리 소모가 크게 줄어든 것으로 확인 [3] 3나노 기반 성능·효율 동시 확보 3나노 공정과 8코어 아키텍처를 적용해 성능은 약 19% 향상되면서 저전력 관리도 동시에 구현 [4] QMX 엔진 통한 전력 최적화 구조 저부하 작업은 별도 연산 엔진(QMX)이 처리하고 고성능 코어는 휴식시키는 방식으로 전력 효율 개선 [5] AI 시대 핵심 지표 ‘전성비’ 부상 에이전트형 AI 확산으로 스마트폰은 저전력 상태에서도 지속

"TSMC, 1.4나노 2028년 양산…2029년 '1나노 이하' 시험생산" (2026년 4월 20일, 연합뉴스, 김철문 기자) 원문보기: https://www.yna.co.kr/view/AKR20260420066100009?input=1195m [핵심 요약] [1] 1.4나노 공정 2028년 양산 계획 TSMC가 2028년부터 1.4나노(A14) 공정 반도체 양산에 돌입할 계획 [2] 2029년 1나노 이하 시험 생산 추진 2029년에는 1나노 이하 공정 반도체 시험 생산에 나설 예정 [3] 2나노 공정 이미 수요 초과 상태 올해 4분기 2나노 양산 추진 중이며 2028년 생산분까지 주문 예약 완료 [4] 전력 효율 대폭 개선 기술 1.4나노 공정은 2나노 대비 동일 성능 기준 최대 30% 전력 절감 효과 기대 [5] AI·HPC 수요가 투자 확대 배경 AI와 고성능 컴퓨팅 수요 증가로 첨단 공정 수요 급증하며 선도 지위 유지를 위한 투자 확대

빨라지는 HBM4E 경쟁…삼성 '샘플 속도전' vs SK '3나노 승부수' (2026년 4월 19일, 이데일리, 공지유 기자) 원문보기: https://www.edaily.co.kr/News/Read?newsId=02912646645417760&mediaCodeNo=257&OutLnkChk=Y [핵심 요약] [1] HBM4 이어 HBM4E 경쟁 본격화 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM4 양산에 이어 차세대 HBM4E 개발에도 속도를 내며 기술 주도권 경쟁 확대 [2] 삼성, 샘플 생산 속도전 전략 삼성전자는 5월 HBM4E 첫 샘플 생산을 목표로 개발을 진행하며 시장 선점을 위한 속도 경쟁에 집중 [3] 차세대 AI 칩 수요 대응 HBM4E는 엔비디아 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈 울트라’에 탑재될 예정으로 내년 양산 본격화 전망 [4] SK하이닉스, 3나노 로직 적용 검토 SK하이닉스는 HBM4E 성능 강화를 위해 로직 다이에 3나노 공정 적용을

"이젠 AI가 칩 설계도 그린다"… 엔비디아, 개발기간 300분의 1 단축 (2026년 4월 17일, 조선비즈, 최효정 기자) 원문보기: https://biz.chosun.com/it-science/ict/2026/04/17/NOGPHQKA7BGGVJOAI47APCYOBQ/?utm_source=naver&utm_medium=original&utm_campaign=biz [핵심 요약] [1] AI 기반 반도체 설계 도입 엔비디아가 GPU 설계 데이터를 학습한 AI를 활용해 반도체 설계 자동화를 추진하며 설계 방식 변화 흐름 형성 [2] 개발 기간 획기적 단축 AI 설계 기술 적용으로 기존 대비 개발 기간을 약 300분의 1 수준으로 줄이는 성과 제시 [3] AI는 엔지니어 보조 역할 AI는 설계 전 과정을 대체하기보다 엔지니어의 생산성과 효율을 높이는 도구로 활용되는 단계 [4] 설계 효율성과 경쟁력 강화 AI 도입으로 설계 속도와 품질이 동시에 개

세미파이브, 자회사 통해 TSMC 2나노급 전력 반도체 IP 공개 (2026년 4월 16일, 아이뉴스24, 권서아 기자) 원문보기: https://www.inews24.com/view/1960896 [핵심 요약] [1] 2나노급 전력 반도체 IP 공개 세미파이브 자회사 아날로그 비츠가 TSMC 2나노(N2P) 공정 기반 전력관리 반도체 설계자산(IP)을 공개하며 차세대 초미세 공정 대응 기술 확보 [2] 온칩 전력 관리 기능 통합 온다이 LDO를 중심으로 전압 강하 감지와 글리치 포착 기능을 통합해 칩 내부에서 전력 상태를 실시간으로 제어할 수 있도록 설계 [3] 저전력·고정밀 센서 기술 적용 핀 없이 동작하는 PVT 센서와 초저전력 PLL을 적용해 온도 정확도와 전력 효율을 동시에 확보하며 고성능 반도체 환경에 적합한 구조 구현 [4] AI·HPC 전력 문제 대응 기술 AI와 고성능 컴퓨팅에서 전력 소비와 발열 문제가 커지는 가운데 칩 내부 전력