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美 제재 中 화웨이, ‘로직 스태킹’·‘반도체 클러스터’ 기술로 돌파 (2026년 6월 18일, 뉴시스, 구자룡 기자) 원문보기: https://www.newsis.com/view/NISX20260618_0003674349 [핵심 요약] [1] 미국 제재 속 화웨이의 기술 돌파 주목 미국의 반도체 제재 이후 생존 위기에 직면했던 화웨이가 새로운 반도체 설계 기술과 시스템 아키텍처를 앞세워 반격에 나서며 미국의 대중 반도체 통제 효과가 시험대에 오른 상황 [2] 칩을 수직 적층하는 ‘로직 스태킹’ 기술 공개 화웨이는 미세 공정 한계를 극복하기 위해 칩 회로를 여러 층으로 쌓아 성능을 높이는 ‘로직 스태킹’ 기술을 공개했으며 최첨단 EUV 장비 없이도 컴퓨팅 성능 향상을 노리는 새로운 접근 방식 제시 [3] 차세대 스마트폰 칩에 기술 적용 추진 화웨이는 올해 말 출시 예정인 스마트폰용 반도체에 해당 기술을 적용할 계획이며 미국의 장비 수출 규제로 인한

“옆으로 말고 위로 쌓는다”…삼성전자, 세계 첫 초소형 트랜지스터 3D 적층 구현 (2026년 6월 17일, 헤럴드경제, 김현일 기자) 원문보기: https://biz.heraldcorp.com/article/10773421?ref=naver [핵심 요약] [1] 세계 최초 초소형 3D 적층 트랜지스터 구현 삼성전자 반도체연구소가 업계 최소 크기의 3차원 수직 적층 트랜지스터(3D Stacked FET)를 세계 최초로 구현했으며 해당 연구는 세계 반도체 학회인 VLSI 심포지엄에서 최고 논문으로 선정 [2] 평면 미세화 한계 극복할 새로운 구조 제시 기존에는 트랜지스터를 수평으로 배치해 집적도를 높였지만 면적과 절연 문제로 한계가 있었으며, 삼성전자는 이를 위아래로 쌓는 방식으로 새로운 돌파구 제시 [3] 동일 면적에서 집적도 2배 향상 가능성 트랜지스터를 수직 적층하면 차지하는 면적이 절반 수준으로 감소해 동일한 웨이퍼 면적에 더 많은 소자를 배

“AI시대 주연 된 메모리… 성능 병목 ‘메모리 월’ 극복이 승부처” (2026년 6월 16일, 국민일보, 박상은 기자) 원문보기: https://www.kmib.co.kr/article/view.asp?arcid=1781601964&code=11151400&cp=nv [핵심 요약] [1] AI 시대의 핵심 부품으로 부상한 메모리 SK하이닉스 조영만 미래기술연구원 부사장은 생성형 AI 확산으로 데이터 규모가 폭증하면서 과거 저장장치 역할에 머물렀던 메모리가 AI 성능을 좌우하는 핵심 기술로 자리 잡았다고 설명 [2] AI 고도화에 따른 ‘메모리 월’ 문제 부각 AI 모델의 매개변수 규모가 급격히 증가하면서 메모리 성능이 시스템 전체 성능을 제한하는 ‘메모리 월’ 현상이 새로운 과제로 떠오르고 있으며 이를 해결하는 기업이 경쟁 우위를 확보할 것으로 전망 [3] HBM이 AI 시대 대표 메모리로 자리매김 HBM은 여러 개의 D램을 수직 적층해 용량과

TSMC, 반도체 '패널 레벨 패키징(PLP)' 본격 양산 준비…삼성과 한판승부 (2026년 6월 15일, 전자신문, 권동준 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260615000239 [핵심 요약] [1] TSMC, PLP 양산 체제 구축 본격화 TSMC가 패널 레벨 패키징(PLP) 양산을 위해 소재·부품·장비 공급망 구축과 설비 투자 협의를 진행하고 있으며 이르면 내년 대량 생산 돌입 계획 [2] 생산성을 크게 높이는 차세대 패키징 기술 PLP는 원형 웨이퍼 대신 사각 패널 위에서 패키징을 진행하는 방식으로 폐기 영역을 줄일 수 있으며 600×600㎜ 패널 기준 기존 300㎜ 웨이퍼보다 5~6배 많은 칩 생산 가능 [3] 삼성전자가 먼저 상용화 경험 축적 삼성전자는 2019년 삼성전기로부터 관련 사업을 인수한 뒤 모바일 AP와 PMIC에 PLP를 적용하며 기술력을 확보해왔으며 현재 PLP 분야에서 선도적 위치 유지 [4

삼성전기, '실리콘 캐패시터'로 AI·전장 시장 정조준…“MLCC 공존 자신” (2026년 6월 14일, 전자신문, 김영호 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260612000013 [핵심 요약] [1] 실리콘 캐패시터를 AI 핵심 부품으로 육성 삼성전기가 MLCC와 반도체 패키지 기판에 이어 실리콘 캐패시터를 AI 첨단 부품 라인업에 추가하며 AI 토털 솔루션 공급자로 도약 추진 [2] AI 반도체 전력 안정성 확보 역할 실리콘 캐패시터는 반도체에 안정적으로 전력을 공급하고 전기 노이즈를 제거하는 수동부품으로 GPU와 HBM이 탑재된 AI 서버 패키지에서 시스템 성능과 안정성을 뒷받침하는 핵심 부품으로 평가 [3] 초박형·고주파 특성으로 차별화 D램 제조에 활용되던 ISC 공정을 적용해 작은 면적에서도 높은 전기 용량 구현이 가능하며 초박형 구조와 우수한 고주파 특성, 높은 환경 안정성을 강점으로 확보 [4] MLCC와