TECH TRENDS

화웨이·SMIC, 美 제재 속 AI 칩 공정 진전…中 반도체 자립 가속 (2025년 12월 14일, ZD넷 코리아, 전화평 기자) 원문보기:  https://zdnet.co.kr/view/?no=20251212165215 [핵심 요약] [1] 기린 9030, 중국 내 최첨단 공정 사례 테크인사이츠 분석에 따르면 메이트 80 프로 맥스 탑재 기린 9030은 SMIC 기존 공정을 개선한 기술로 생산됐고, 중국에서 달성된 가장 진보된 제조 사례.​ [2] SMIC N+3 공정, 7nm 개선이지만 5nm 대비 뒤처짐 SMIC 기존 7nm를 개선한 N+3 공정으로 기린 9030 생산, TSMC·삼성 5nm 양산 공정 대비 미세화 수준 상당히 낮음.​ [3] 미국 엔티티 리스트 속 점진적 미세화 달성 화웨이·SMIC 미 수출 통제 대상이지만 장비·기술 제약에도 점진적이지만 의미 있는 미세화 진전 이룸.​ [4] 장비 제약·수율·비용 한계 여전 어플라이드 머티

SK하이닉스, 제조기술 조직에 ‘AI팀’ 신설…AI 팹 전환 속도낸다 (2025년 12월 11일, 매일경제, 안서진 기자) 원문보기:  https://www.mk.co.kr/news/business/11489516 [핵심 요약] [1]   제조기술(M&T) 공정별 AI팀 신설 검토 SK하이닉스 양산총괄 제조기술 조직 내 포토·에치·디퓨전·씬필름·C&C 등 주요 공정 기술그룹마다 AI팀 신설, 생산현장 특화 공정 효율화·수율 개선 목표.​ [2]   전사 AI/DA 조직과 차별 현장 중심형 기존 전사 AI/DA(결함분석)솔루션 조직은 인프라 구축 중심, 새 AI팀은 생산라인 실시간 데이터 분석으로 효율화 뒷받침, HR에 공식 건의 상태.​ [3]   청주 M15X 인텔리전스팹→Y2 오토노머스팹 로드맵 청주 M15X 인텔리전스팹(2027 Y1 옵티마이즈드팹→2033 Y2 오토노머스팹) 단계적 AI팹 고도화 추진.​ [4]   글로벌 AI리서치센터·HB

ASM, 화성에 1억 달러 투자해 '혁신제조센터’ 설립 (2025년 12월 8일, 한국경제, 황정환 기자) 원문보기:  https://www.hankyung.com/article/202512080696i [핵심 요약] [1]   화성 동탄에 혁신제조센터 공식 개소 ASM 경기도 화성에 1억달러 투자한 '혁신제조센터(The Innovation and Manufacturing Center)' 개소, 7400㎡ 부지·연면적 기존 1.5배 확대.​ [2]   ALD·에피택시 첨단 기술 개발 허브 원자층 증착(ALD)·에피택시(Epitaxy) 솔루션 선도 기업으로 2nm GAA 공정 등 차세대 반도체 제조 핵심 기술 개발 주도.​ [3]   한국 PEALD 기술 글로벌 허브 역할 한국 ASM PEALD(플라즈마원자층증착) 기술 글로벌 허브로 자리매김, 2개 첨단 제조 클린룸·물류 창고 완비로 생산 효율 대폭 향상.​ [4]   CEO "한국 차세대 반도체

SK하이닉스, 日 의존 EUV PR 국산화 추진…동진쎄미켐과 협력 (2025년 12월 7일, 전자신문, 박진형 기자) 원문보기:  https://www.etnews.com/20251205000260 [핵심 요약] [1] 동진쎄미켐과 고성능 EUV PR 공동 개발 SK하이닉스 일본 JSR·TOK 독점 EUV 포토레지스트(PR) 국산화 착수, 동진쎄미켐과 협력해 기존 제품 대체 넘어 우수 성능 소재 개발 추진.​ [2] 생산성 향상 PR 감도 개선 요구 일본 제품보다 우수한 PR 감도 개선으로 노광 시간 단축·생산능력 극대화 목표, EUV 노광 장비(1대 2000억원) 활용 효율화 전략.​ [3] D램 EUV 레이어 증가 대응 필요 10나노 4세대(1a) 1개→6세대(1c) 5개→7세대(1d) 7개로 EUV 레이어 급증, 10나노 미만 제품 추가 확대 전망 속 PR 개발 필수.​ [4] 2023년 저사양 국산화 한계 극복 SK머티리얼즈 퍼포먼스 통해

ST, 18나노 공정 '마이크로컨트롤러’ 출시 (2025년 12월 4일, 전자신문, 권동준 기자) 원문보기:  https://www.etnews.com/20251204000259 [핵심 요약] [1]   삼성 파운드리 협업 18나노 MCU 국내 출시 ST마이크로일렉트로닉스 18나노미터 공정 마이크로컨트롤러유닛(MCU) 국내 출시, 삼성전자 파운드리와 협업해 로봇·에너지·우주항공 등 산업용 기기 시장 공략.​ [2]   STM32V8, Arm Cortex-M85·PCM 메모리 탑재 차세대 고성능 MCU 'STM32V8' 공개, Arm Cortex-M85 기반에 업계 최초 내장 상변화 메모리(PCM) 탑재, ST FD-SOI 공정 적용으로 누설 전류 강점 확보.​ [3]   프랑스·삼성 파운드리 공동 생산 STM32V8 프랑스 크롤 공장과 삼성전자 파운드리 통해 제조, 기존 40~180나노 대비 회로 선폭 대폭 축소로 집적도 향상·성능 증가·전력 소모