[제20260310-TT-01호] 2026년 3월 10일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약
- 이도윤
- 3월 11일
- 2분 분량
칼 갈은 SK, HBM4 최종샘플 엔비디아 납품
(2026년 3월 10일, 한국경제, 강해령 기자)
[핵심 요약]
[1] SK하이닉스 HBM4 최종 샘플 엔비디아 공급 예정
SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리 HBM4 최종 샘플을 조만간 엔비디아에 납품할 예정이며 이는 품질 테스트 통과를 위한 마지막 단계로 평가되는 상황
[2] 엔비디아 요구 속도 맞춰 설계 최적화
해당 샘플은 초당 11.7Gb 데이터 전송 속도 요구를 충족하기 위해 지난해 4분기부터 설계 수정과 칩 최적화 작업을 거쳐 완성된 제품
[3] 테스트 통과 시 HBM4 양산 가능성
엔비디아 품질 테스트를 통과할 경우 이르면 이달 대량 생산 구매 주문을 확보해 HBM4 양산 체제로 전환할 가능성 제기
[4] 삼성전자와 HBM4 공급 경쟁 심화
삼성전자가 이미 일부 HBM4 제품을 엔비디아에 공급하며 경쟁이 치열해진 가운데 이번 테스트 결과에 따라 SK하이닉스의 공급 지위가 좌우될 수 있는 상황
[5] 패키징 개선과 기술 최적화 진행
SK하이닉스는 루빈 GPU와의 호환 문제 해결을 위해 회로 최적화와 D램 적층 간격 조정 등 패키징 공정 개선 작업을 진행하며 성능 개선 추진
SK하이닉스, 10나노급 6세대 D램 '1c LPDDR6' 개발
(2026년 3월 10일, 조선일보, 유지한 기자)
[핵심 요약]
[1] 1c 공정 기반 LPDDR6 D램 개발 성공
SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR6 D램 개발에 성공하며 차세대 모바일 메모리 기술 확보
[2] 세계 최초 1c LPDDR6 개발 인증 완료
지난 1월 CES에서 제품을 공개한 이후 최근 세계 최초로 1c LPDDR6 제품 개발 인증을 완료하며 기술 경쟁력 강화
[3] 온디바이스 AI 모바일 기기용 메모리
해당 제품은 온디바이스 AI 기능이 적용된 스마트폰과 태블릿 등 모바일 기기에 활용되는 저전력 D램으로 설계
[4] 속도 33% 향상·전력 20% 절감
대역폭 확장을 통해 데이터 처리 속도를 이전 세대 대비 약 33% 높였고 서브 채널 구조와 DVFS 기술 적용으로 전력 소비 약 20% 절감
[5] 하반기 제품 공급 계획
상반기 양산 준비를 마친 뒤 하반기부터 글로벌 모바일 고객사에 제품 공급하며 AI 메모리 라인업 확대 추진

