[제20260609-TT-01호] 2026년 6월 9일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

초고속 S램까지 쌓는 메모리 타운, 피지컬 AI 핵심 될 것

(2026년 6월 9일, 한국경제, 박한신 기자)

[핵심 요약]

[1] AI 시대 경쟁력의 중심은 메모리

김정호 KAIST 교수는 AI 성능 향상의 핵심이 GPU 연산 능력보다 연산장치와 메모리 간 데이터 이동 효율에 있다고 설명하며 향후 AI 산업 경쟁력은 메모리 기술이 좌우할 것으로 예상

[2] HBM 이후에는 HBF 중요성 확대

AI 모델 규모가 빠르게 증가하면서 현재의 HBM만으로는 처리 수요 대응에 한계가 예상되며 대용량 데이터를 고속 공급하는 고대역폭 플래시(HBF)의 역할 확대 전망

[3] 초고속 S램 적층 기술 HBS 개념 제시

기존 D램과 낸드플래시에 이어 S램까지 적층하는 고대역폭 S램(HBS) 개념을 공개했으며 초고속 데이터 처리와 대용량 저장 성능 확보를 목표로 하는 차세대 메모리 구조 소개

[4] HBM·HBF·HBS를 결합한 메모리 타운 구상

서로 다른 특성을 가진 메모리를 하나의 패키지에 통합하는 메모리 타운 구조를 제안했으며 자율형 AI 에이전트와 피지컬 AI 시대의 핵심 인프라 역할 기대

[5] 미국 추격과 인재 유출 가능성 경고

미국의 메모리 산업 육성 정책과 대규모 투자 확대에 따라 한국 기업과의 경쟁 심화 가능성이 커지고 있으며 국내 반도체 인재 유출 위험성 역시 주요 과제로 부상