[제20250529-TT-01호] 2025년 5월 29일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

삼성 차세대 D램 수율 개선…전영현 '설계변경 초강수' 빛났다

(2025년 5월 29일, 서울경제, 강해령 기자)

[핵심 요약]

[1] 삼성, 10나노급 6세대 D램 수율 개선 성과

삼성전자는 10나노(㎚)급 6세대 D램 웨이퍼 실험에서 콜드 테스트(차가운 환경) 수율 50%, 핫 테스트(뜨거운 환경) 수율 60~70%를 달성함. 기존 30% 미만에서 비약적 개선된 수치로, 양산 기준(통상 40% 이상)을 크게 상회함

[2] 설계 변경 등 초강수 대책 효과

전영현 DS 부문장 부회장의 ‘설계 변경’ 결정이 수율 개선의 핵심으로 작용함. 칩 동작 효율성 제고를 위해 구조 변경 등 다양한 설계 개선이 이루어짐

[3] HBM(고대역폭메모리) 경쟁력 회복 기대

D램은 AI 반도체 HBM의 핵심 재료로, 삼성은 6세대 D램을 쌓아 차세대 HBM4를 연말까지 양산할 계획임. HBM3E에서 SK하이닉스에 밀린 삼성은 HBM4에서 역전을 노림

[4] 대규모 설비투자 및 공정 전환 추진

평택 4공장 등에서 하반기부터 대규모 설비투자를 진행하고, 화성 D램 17라인도 공정 전환 추진 중임. 원가 경쟁력 강화와 생산능력 확대에 집중함

[5] 7세대 D램 개발 동시 진행, 시장 점유율 회복 모색

10나노급 7세대 D램 개발도 병행하며, 평택 2공장에 시험 라인 설치 및 워킹 샘플 제작 완료. 이르면 내년 하반기 7세대 양산 목표로, D램 시장 1위 재탈환 기대감 커짐