[제20250616-TT-01호] 2025년 6월 16일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약
- 이도윤
- 2025년 6월 17일
- 3분 분량
LG화학, 日노리타케와 자동차 전력 반도체용 접착제 공동 개발
(2025년 6월 16일, 머니투데이, 안정준 기자)
[핵심 요약]
[1] LG화학과 노리타케, 전력 반도체용 접착제 공동 개발
LG화학과 일본 노리타케(Noritake)가 자동차 전력 반도체용 접착제 공동 개발에 나선다고 공식 발표함.
[2] 고내열·고신뢰성 접착제 개발 목표
양사는 내열성과 신뢰성이 뛰어난 차세대 접착제를 개발해, 자동차 전력 반도체(파워모듈 등)의 성능과 내구성 향상에 기여할 계획임.
[3] 전력 반도체 시장 성장에 대응
전기차·하이브리드차 등 친환경차 시장 확대에 따라 전력 반도체 수요가 급증하는 가운데, 관련 소재 개발에 집중함.
[4] 글로벌 협력으로 시장 공략
LG화학은 노리타케와의 협력을 통해 글로벌 자동차 반도체 소재 시장에서 경쟁력을 강화하고 있음.
[5] 상용화 및 시장 진출 속도
양사는 개발 완료 후 빠른 상용화와 시장 진출을 목표로 하고 있음.
반도체에 희소식?...중국 “섭씨 3600도 견디는 세라믹 개발”
(2025년 6월 16일, 초이스경제, 홍인표 기자)
[핵심 요약]
[1] 중국 화남이공대학 연구팀, 세계 최초 극초고온 세라믹 개발
중국 과학자들이 하프늄(Hf), 탄탈룸(Ta), 지르코늄(Zr), 텅스텐으로 구성된 고엔트로피 탄화물 세라믹을 개발해, 섭씨 3600도에서도 견딜 수 있음을 확인함.
[2] 항산화 능력 우수, 국제저널에 게재
이 세라믹은 뛰어난 항산화 능력을 갖추고 있으며, 연구 결과는 국제저널 ‘어드밴스트 머티리얼즈’에 실렸고, 심사위원들은 “극초고온 재료 분야의 중요한 돌파”로 평가함.
[3] 우주항공·에너지·반도체 등 다양한 산업 적용 가능
신형 세라믹은 우주항공, 신에너지, 반도체 제조공정 등 극단적인 고온 환경이 요구되는 분야에서 광범위하게 활용될 수 있음.
[4] 레이저 테스팅 플랫폼으로 실험, 생산비 통제 가능
연구팀은 레이저 테스팅 플랫폼을 개발해 섭씨 3800도 상황에서 실험을 진행했으며, 생산비도 통제가능한 수준임을 밝힘.
[5] AI 활용해 추가 성능 개선 목표
앞으로 인공지능(AI)과 결합해 세라믹 구성을 최적화하며, 추가적인 성능 개선을 추진할 계획임.
반도체 미래 바꿀 '게임체인저'…실리콘 포토닉스·극저온 식각이 뭐지?
(2025년 6월 16일, 한국경제, 황정수 기자)
[핵심 요약]
[1] 실리콘 포토닉스: 빛으로 데이터 전송하는 반도체 혁신
실리콘 포토닉스는 전자가 아닌 빛을 이용해 데이터를 전송하는 기술로, 고속 정보처리와 에너지 절약, 발열 감소 효과가 뛰어남. AI 가속기, 양자컴퓨팅, 데이터센터 등 고성능 연산 영역에 도입되며, 글로벌 반도체업계에서 상용화 단계에 접어든 것으로 평가됨.
[2] 극저온 식각: 반도체 공정 한계 돌파
극저온 식각은 영하 80도 이하에서 웨이퍼 표면에 보호층이 형성되는 점을 활용해, 더 좁고 깊은 회로 패턴을 빠르고 정밀하게 식각하는 기술임. 기존 방식보다 3배 빠른 속도로 생산성 혁신을 이룰 수 있음. 다만, 극저온 환경 조성과 별도의 가스 공급 등 해결 과제도 남아 있음.
[3] 유리 기판: 차세대 패키징 소재로 부상
유리 기판은 유기·실리콘 기판을 대체할 차세대 패키징 소재로, 표면이 매우 평탄하고 열 안정성이 높으며 열전도율이 낮아 발열 관리에 유리함. AI 반도체와 HBM 등 고성능 반도체 제조에 필수적임.
[4] 실리콘 포토닉스의 상용화와 확장성
실리콘 포토닉스는 서버 랙 간, 보드와 보드, 칩과 칩 사이 데이터 전송에 즉각 활용 가능하며, 데이터센터의 전력 소비와 발열 문제 해결에 혁신적 기여가 기대됨.
[5] 기술적 난제와 미래 전망
극저온 식각은 설비 확충 및 가스 공급, 유리 기판은 미세 균열 등 난제가 있으나, 해결 시 반도체 산업의 패러다임을 바꿀 혁신 기술로 평가받음. AI 시대를 이끌어갈 핵심 기술로 주목받고 있음.
웨이브로드, GaN 웨이퍼 국산화 속도…5개사 퀄 테스트
(2025년 6월 16일, 전자신문, 박진형 기자)
[핵심 요약]
[1] 웨이브로드, 국내외 5개 고객사와 GaN 에피택시 웨이퍼 품질 평가
웨이브로드는 국내외 5개 고객사와 신호증폭(RF)용 GaN 에피택시 웨이퍼 품질 평가를 진행 중임. 국내 방산 대기업도 웨이브로드 6인치 에피 웨이퍼로 만든 GaN 전력반도체를 최종 테스트 중임.
[2] GaN 에피택시 웨이퍼, 차세대 전력반도체 핵심 소재
GaN(질화갈륨) 에피택시 웨이퍼는 실리콘(Si) 또는 실리콘카바이드(SiC) 기판 위에 GaN 결정층을 증착해 제작하며, 고출력·고효율·고주파 특성을 가진 전력반도체 생산에 필수적임.
[3] 국산화 및 대량 양산 가능성
웨이브로드는 샘플 공급 경험은 있으나 대량 양산 경험은 없음. 최종 품질 평가를 통과할 경우 국산 GaN 에피택시 웨이퍼 대량 공급과 방위, 5G, 우주·항공 등 다양한 분야 진출이 기대됨.
[4] 8인치 대응 기술 개발 완료
웨이브로드는 GaN 전력반도체를 위한 8인치 에피 웨이퍼 대응 기술 개발을 완료함. 4·6인치에서 8인치로 양산라인 전환이 업계 트렌드임.
[5] 생산능력 확대 및 시리즈B 투자 유치
웨이브로드는 생산능력 확대와 R&D 인력 충원을 위해 시리즈B 투자 유치를 진행 중임. GaN 에피 웨이퍼 기반 LED 소자 개발 등 신사업에도 투자할 계획임.