[제20250709-TT-01호] 2025년 7월 9일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

SK하이닉스, HBM4·400단 낸드 웨이퍼 절단 바꾼다

(2025년 7월 9일, 전자신문, 권동준 기자)

[핵심 요약]

[1] 차세대 메모리 공정 변화 필요성

차세대 6세대 고대역폭메모리(HBM4)와 400단 이상 낸드 플래시 메모리 제조를 위한 웨이퍼가 점점 얇아지면서, 기존 웨이퍼 절단 공정으로는 한계에 직면함.

[2] 펨토초 그루빙 및 풀 컷 공정 도입 계획

SK하이닉스는 HBM4용 웨이퍼 절단을 위해 펨토초 그루빙(그루빙: 절단선을 미리 파는 방식) 및 풀 컷(레이저로 한 번에 완전 분리) 공정을 도입할 계획임. 레이저 장비 협력사와 장비 공동 평가 프로젝트(JEP)도 추진 중임.

[3] 기존 절단 방식과 한계

기존에는 기계적 절단(다이아몬드 휠 사용)이나 스텔스 다이싱(웨이퍼 내부에 크랙을 만들어 분리) 방식을 사용해왔으나, HBM4용 웨이퍼는 20~30㎛(마이크로미터)로 얇아져 기존 방식으로는 이물 발생, 미세 균열 등 수율 저하 문제가 발생할 수 있음.

[4] 펨토초 레이저의 장점

펨토초 레이저는 1000조분의 1초 단위의 극초단파 레이저 펄스를 발생시켜 결함을 줄이고, 매우 정밀하게 웨이퍼를 자를 수 있어 얇은 웨이퍼 절단에 적합함. SK하이닉스는 그루빙과 풀 컷 방식 모두를 후보로 올려두고 있음.

[5] 적용 범위 및 업계 파급 효과

펨토초 레이저 절단은 HBM4뿐 아니라 400단 이상 낸드에도 적용될 예정임. 이로 인해 반도체 업계 전체적으로 펨토초 레이저 기술 확산이 가속화될 것으로 전망됨. TSMC, 마이크론, 삼성전자 등도 첨단 웨이퍼 절단에 펨토초 레이저를 도입한 바 있음

(2025년 7월 9일, 전자신문, 권동준 기자)

[핵심 요약]

[1] 업계 최초 나노프리즘 이미지센서 상용화

삼성전자가 업계 최초로 ‘나노프리즘’ 기술을 적용한 이미지센서를 상용화함. 기존 센서 대비 빛을 25% 더 모으는 것이 특징임.

[2] 고화소·고감도 센서 개발

0.64마이크로미터(㎛) 픽셀에 5000만 화소를 지원하는 ‘아이소셀 JNP’ 이미지센서에 나노프리즘 기술이 적용됨. 동일 크기·성능 대비 감도가 25% 이상 개선됨.

[3] 기존 구조 대비 기술적 차별성

기존 이미지센서는 마이크로 렌즈-컬러 필터-픽셀의 수직 구조로, 한 픽셀이 받는 빛의 양이 제한적임. 나노프리즘은 분산·굴절 원리로 빛을 옆에서도 픽셀로 유도해 감도가 크게 향상됨.

[4] 공정 기술 고도화

나노미터(㎚) 단위 구조를 0.64㎛ 픽셀 안에 구현하기 위해 화학적기계연마(CMP), 저온공정, 열탈착질량분석법(TDMS) 등 특수 공정 기술이 도입됨.

[5] 상용화 및 시장 적용

나노프리즘은 2017년 삼성종합기술원(SAIT)에서 처음 제안됐으며, 샤오미 ‘CIVI 5 프로’ 스마트폰에 탑재돼 상용화에 성공함. 어두운 환경에서 선명한 사진 촬영에 유리할 전망임