[제20250715-TT-01호] 2025년 7월 15일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약
- 이도윤
- 2025년 7월 16일
- 2분 분량
삼성 반도체 마스터 “10nm D램 기존 구조 한계…핀펫 적용될 것”
(2025년 7월 15일, 머니투데이, 최지은 기자)
[핵심 요약]
[1] 10nm D램에서 기존 구조의 한계
삼성전자 DS 부문 오정훈 마스터는 2025 반도체공학회 하계종합학술대회에서, 기존 D램 구조(BCAT)가 10nm(나노미터) 이하 공정에서 한계에 직면할 것이라고 밝힘. 소자가 계속 작아지면서 BCAT 구조로는 물리적 한계가 명확해짐.
[2] 핀펫(FinFET) 기술 적용 필요성
핀펫은 평면 트랜지스터를 3차원(3D) 구조로 바꿔 전류 흐름을 효율적으로 제어하는 기술임. 10nm 이하 D램에서는 누설 전류, 채널 크기 축소, 메탈 저항 증가, 발열 등 문제를 해결하기 위해 핀펫과 같은 3D 구조로의 전환이 불가피함.
[3] 3D 적층 및 웨이퍼 본딩 기술
셀 트랜지스터 공간을 확장하기 위해 3D 적층 기술이 필요함. 트랜지스터를 수직으로 세우거나 눕혀 적층하는 방식으로 용량과 성능을 동시에 높일 수 있음. 이 과정에서 웨이퍼 본딩 기술이 필수적임. 현재는 셀 공정과 주변부 공정을 한 웨이퍼에서 처리해 발열 등 제약이 있는데, 두 공정을 분리해 각각 최적화한 뒤 결합하는 방식이 필요함.
[4] 기술 적용 시기 및 전망
핀펫 기술은 주변부 공정에 먼저 적용될 예정임. 미래에는 3D D램 구현을 위해 핀펫 공정이 본격적으로 도입될 전망임. 파운드리(시스템 반도체)에서 이미 적용된 핀펫 기술이 메모리(DRAM) 공정에도 확장되는 흐름임.
[5] 삼성전자의 기술 혁신 전략
삼성전자는 10nm 이하 D램 시대를 대비해 핀펫 등 3D 구조의 신기술 도입을 가속화하고 있음. 기존 평면 구조의 한계를 극복하기 위해 기술 혁신에 집중 중임.
SK키파운드리·LB세미콘 ‘다이렉트 RDL<재배선>’ 개발
(2025년 7월 15일, 헤럴드경제, 김현일 기자)
[핵심 요약]
[1] SK키파운드리·LB세미콘, 8인치 기반 다이렉트 RDL 공동 개발
SK하이닉스의 파운드리 자회사 SK키파운드리와 반도체 패키징·테스트 전문기업 LB세미콘이 8인치 기반의 반도체 패키징 핵심 기술 ‘다이렉트 RDL(재배선)’을 공동 개발, 신뢰성 평가까지 완료함.
[2] RDL 기술, 차량용·산업용 등 다양한 분야 적용
RDL(재배선)은 반도체 칩 위에 전기적 연결을 위한 금속 와이어와 절연층을 형성하는 기술로, 웨이퍼 레벨 패키징(WLP)과 팬-아웃 WLP(FOWLP) 공정에 적용됨. 이번에 개발한 다이렉트 RDL은 모바일, 산업용뿐 아니라 차량용 반도체에도 적용 가능함.
[3] 배선 두께·밀도, 전력 반도체 최적화
배선 두께는 15μm, 배선 밀도는 칩 면적의 70%까지 확보해 경쟁사 대비 전류 용량이 큰 전력 반도체에 적합함. 차량용 반도체 국제 품질 표준(AEC-Q100) 오토 그레이드-1 등급도 충족해, 동작온도 영하 40도~영상 125도 환경에서도 신뢰성 확보.
[4] 생산 효율성 극대화 및 개발 기간 단축
LB세미콘이 SK키파운드리의 제조 역량을 활용해 개발 기간을 크게 단축, 양사의 후공정과 파운드리 공정 기술을 결합해 웨이퍼 레벨의 다이렉트 RDL을 최적화함. 이로써 생산 효율성 극대화가 기대됨.
[5] 차량용 반도체 경쟁력 강화 기여
이번 기술 개발로 SK키파운드리와 LB세미콘은 차량용 반도체 제품 경쟁력 강화에 기여할 수 있을 것으로 보임. 향후 모바일, 산업용, 차량용 등 다양한 시장에서 기술 적용이 확대될 전망임