[제20250722-TT-01호] 2025년 7월 22일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

양자 품은 반도체 '퀀텀 온 칩'..이와이엘, '퀀텀 노이즈 IP' 도전장

(2025년 7월 22일, 머니투데이, 이유미 기자)

[핵심 요약]

[1] '퀀텀 노이즈 IP' 개발 착수

이와이엘은 일반 반도체 칩 내부에 양자 난수 생성기를 직접 통합하는 ‘완전 통합형 퀀텀 노이즈 IP’ 개발에 착수했음. 이 기술은 기존 고가 장비 의존을 탈피하고, 일상 기기에 양자 보안 기능을 적용하기 위한 핵심임.

[2] 양자 난수 생성기(QRNG)의 특징과 한계 극복

QRNG는 암호키 생성을 무작위적으로 하는 기술이나 기존에는 레이저나 방사성 물질 등 고가 장비가 필요해 군사·국가 기관 중심 활용에 한정됐음. 이와이엘은 반도체 내부 양자 물리 현상을 활용해 QRNG를 소형화하고, 표준 CMOS 공정 내 구현에 성공했음.

[3] 반도체 칩 내 양자 잡음 활용 기술 구현

터널링 전류, 전자 충돌로 생기는 잡음 등 양자역학적 불확실성을 정밀 추출, 난수로 변환하는 회로구조를 개발해 칩 하나로 QRNG 구현이 가능해졌음.

[4] 가격 및 크기 혁신, 폭넓은 도입 기대

기존 QRNG 대비 단가를 80% 이상 낮추고, 크기는 2.5mm 이하로 줄였으며, 별도 패키지나 특수 소재 없이 제작 가능해 스마트폰, 전기차, AI 칩, IoT 기기 등 다양한 디지털 장비 기본 보안 인프라로 활용 가능함.

[5] 상용화 계획과 산업적 의의

이와이엘은 2026년 IP 형태 완성 후 2027년부터 양자 보안 칩 상용 제품을 출시할 계획임. 회사는 이 기술이 특정 특권층 전유물이 아닌 모두가 누릴 수 있는 기본 보안 인프라로 자리잡으며, 보안 패러다임을 재정의할 것으로 기대하고 있음.

(2025년 7월 22일, 전자신문, 이호길 기자)

[핵심 요약]

[1] 하이브리드 본딩, 16단부터 도입

삼성전자는 HBM(고대역폭 메모리) 단수가 16단부터는 기존 열압착(TC) 본딩이 어려워져, 하이브리드 본딩 기술을 점진적으로 도입할 계획임을 밝혔음.

[2] 하이브리드 본딩의 장점

솔더 볼 없이 구리에 직접 연결하는 방식으로 칩 두께와 공간, 발열 문제를 개선할 수 있음.

[3] 도입 시기와 방식

7세대 HBM(‘HBM4E’) 16단부터 TC와 하이브리드 본딩을 병행, 8세대(‘HBM5’) 20단부터는 하이브리드 본딩 주력 양산 체계로 전환할 예정임.

[4] 현재 HBM 생산 현황

현재까지는 5세대(‘HBM3E’) 12단까지 기존 열압착 본딩으로 생산이 가능하며, 6세대(‘HBM4’) 16단도 같은 방식으로 진행할 계획임.

[5] 기술 포인트와 전략

피치가 더 작아지면 본딩의 신뢰도와 발열 문제를 해결하기 위해 하이브리드 본딩 확대가 필요하며, 이 기술은 미래 HBM 시장에서의 기술 경쟁력 확보의 핵심 요소임.