[제20250915-TT-01호] 2025년 9월 15일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약
- 이도윤
- 2025년 9월 16일
- 2분 분량
낸드 쌓아서 올리는 HBF … AI칩 강자 HBM 대체할까
(2025년 9월 15일, 매일경제, 이덕주 기자)
[핵심 요약]
[1] HBF, 낸드 플래시 적층 신개념 메모리
HBF는 기존 HBM이 D램을 적층한 고대역폭 메모리인 것과 달리, 낸드 플래시를 적층하여 대용량 메모리를 구현하는 신기술임.
[2] 용량은 크지만 속도는 D램 대비 느려
HBF는 HBM 대비 메모리 용량을 키울 수 있지만 데이터 처리 속도가 느려, AI 가속기 같은 고속 연산 분야엔 단점이 있음.
[3] SK하이닉스·샌디스크, 양해각서 체결
샌디스크는 2025년 8월 SK하이닉스와 HBF 개발 MOU를 맺고, 내년 하반기와 2027년 초에 HBF 샘플을 고객사에 제공하겠다고 밝힘. 샌디스크 주가는 기술 발표 후 한 달 만에 2배 상승.
[4] AI 영상 등 대용량 데이터에 보완재 전망
HBF는 HBM을 완전히 대체하기 어렵고, 긴 영상 등 대용량 AI 생성 시대에는 느리지만 용량이 큰 낸드 플래시의 보완재 역할이 기대되고 있음
HBM4 시대…삼성전자·SK하이닉스 '엔비디아 공급' 각축전
(2025년 9월 15일, 한국경제, 김채연 기자)
[핵심 요약]
[1] SK하이닉스, 세계 최초 HBM4 양산 체제 구축
SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 세계 최초로 양산하며 엔비디아 차세대 AI 가속기 '루빈'에 공급 준비를 완료함.
[2] 삼성전자, 첨단 공정 기반 HBM4 최종 샘플 출하
삼성전자는 10나노 6세대(1c) D램 공정과 4나노 파운드리 공정을 적용한 HBM4 제품의 최종 샘플을 이달 내 출하하며 경쟁력 강화에 나섰음.
[3] HBM4 성능과 가격 경쟁 치열
HBM4는 기존 HBM3E 대비 대역폭과 전력 효율이 크게 향상됐으며, 가격도 30% 이상 상승할 것으로 예상되는 가운데 SK와 삼성 간 시장 주도권 확보 경쟁이 심화됨.
[4] 기술력과 품질 검증이 승부처
SK하이닉스는 높은 대역폭과 전력 효율을 강조하며 안정적 양산 체제 구축에 집중하고 있고, 삼성전자는 초미세 공정을 통한 성능 우위를 강조하며 엔비디아의 품질 검증 통과가 관건임.
[5] 미국 마이크론은 상대적 고전
HBM4 양산 경쟁에서 SK하이닉스와 삼성전자에 비해 마이크론은 상대적으로 어려움을 겪고 있으며, 한국의 두 업체가 글로벌 HBM 시장 경쟁을 주도하고 있음.
삼성 "AI로 반도체 제조 기술적 한계 극복"
(2025년 9월 15일, 한국경제, 김채연 기자)
[핵심 요약]
[1] 삼성 AI 포럼 2025 개최
삼성전자가 매년 개최하는 AI 포럼에서 반도체 설계 자동화 및 제조 분야의 AI 활용 현황과 미래 전략을 공유함.
[2] AI 기반 반도체 설계 필수 도구화
지멘스EDA 아밋 굽타 부사장은 AI와 전자 설계 자동화 프로그램의 통합 중요성을 강조하며 전체 워크플로우에서 작동하는 엔드투엔드 시스템 필요성을 언급함.
[3] 반도체 제조 기술적 한계 극복
삼성전자 DS부문 AI센터장 송용호 부사장은 AI가 제조 복잡성으로 인한 기술적 한계를 극복하는 데 큰 역할을 할 것으로 전망함.
[4] 전영현 부회장 AI 기술 개발 강조
삼성전자 전영현 부회장은 다양한 업무영역에 AI 적용을 확대해 언제 어디서나 쉽고 빠르게 AI를 활용할 수 있는 기반 기술을 개발 중임을 밝힘.
[5] 차세대 AI 연구와 안전성 강조
세계적 AI 석학 요슈아 벤지오 교수 등과 함께 AI의 안전성과 과학적 활용에 대한 논의가 이루어졌으며, ‘과학자 AI’ 개념을 통해 AI 안정성 극대화 방안 제시됨.
삼성전자, SiC 전력반도체 상용화 고삐..."최대한 빨리할 것"
(2025년 9월 15일, ZDNet, 장경윤 기자)
[핵심 요약]
[1] 차세대 전력반도체 SiC 시장 주목
삼성전자가 SiC(탄화규소) 전력반도체 상용화에 박차를 가하며, 8인치 공정 중심 연구개발 진행 중임.
[2] SiC의 산업적 중요성 부각
SiC는 고온, 고전압 내구성이 뛰어나 전기차와 에너지 산업, AI 산업 등에서 수요가 급증하는 차세대 소재임.
[3] 시장 성장 전망
시장 조사에 따르면 SiC 전력반도체 시장은 2023년 34억 달러에서 2030년 약 104억 달러로 연평균 20.3% 성장할 전망임.
[4] 원가 절감과 대규모 채택 기대
높은 단가를 극복하기 위해 소재, 부품, 장비 업계가 함께 노력하며 비용 절감이 빨라져 대규모 채택이 가능해질 환경 조성 중임.
[5] 빠른 상용화 추진 의지
삼성전자 CSS 사업팀은 SiC 전력반도체 상용화를 최대한 빨리 진행할 계획이며, 전력반도체 경쟁력 확보를 위해 고객사와 협업 강화에 주력할 방침임.