[제20251028-TT-01호] 2025년 10월 28일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

"AI發 호황 올라타자"…中도 첨단 D램 올인

(2025년 10월 28일, 한국경제, 김채연 기자)

[핵심 요약]

[1] 중국 첨단 D램 개발 가속화

CXMT 등 중국 기업들이 AI 서버와 AI폰용 최첨단 D램과 고대역폭메모리(HBM) 개발에 올인하는 전략 전환

[2] HBM3 양산 앞당겨

CXMT는 16나노 공정 HBM3 샘플을 예상보다 빠르게 화웨이에 공급, 내년부터 대량 생산 계획

[3] LPDDR5X 개발 성공

모바일과 온디바이스 AI용 차세대 D램인 LPDDR5X 개발 성공, 한국 기업과 기술 격차 축소 의미

[4] 국내 시장 위협과 점유율 상승

화웨이, 샤오미 등 국내외 기업에 공급 확대, CXMT D램 시장 점유율 2025년 7%에서 2027년 10% 예상

[5] AI시장 호황을 기술 자립 기회로

중국이 AI 메모리 슈퍼호황을 자국 반도체 산업 기술 자립의 발판으로 적극 활용하는 모습

(2025년 10월 28일, 디지털데일리, 배태용 기자)

[핵심 요약]

[1] TSMC, 올 연말 2나노 공정 전면 양산 시작

TSMC가 2나노 공정 양산에 본격 돌입하며 삼성전자와의 초미세 반도체 공정 경쟁이 격화 예상

[2] 삼성전자, 2나노 공정 내실 다지기 전략

삼성전자는 3나노 공정 부진을 딛고 수율과 공정 완성도 향상에 집중, 2나노 공정의 경쟁력 확보에 주력

[3] 차별화된 가격 경쟁력 부각

TSMC 대비 2나노 공정 가격이 30% 이상 저렴한 삼성전자가 가성비를 무기로 장기 경쟁에 나설 태세

[4] 시장 수요 및 주요 고객 확보

삼성전자는 모바일, 서버, 고성능컴퓨팅(HPC) 등 다양한 분야에서 2~3년 이상 2나노 공정이 주력 공정이 될 것으로 전망

[5] 글로벌 파운드리 시장 경쟁 심화

TSMC, 삼성전자 외에 인텔도 1.8나노 공정 양산에 나서는 등 초미세 공정 경쟁이 더욱 치열해지고 있음