[제20251221-TT-01호] 2025년 12월 21일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

삼성·SK, 엔비디아 HBM4 '품질 테스트' 경쟁

(2025년 12월 21일, 한국경제, 강해령 기자)

[핵심 요약]

[1] SK하이닉스, 회로 리비전 샘플 재테스트

SK하이닉스는 지난 11월 엔비디아에 HBM4 커스터머 샘플을 공급해 품질 테스트를 진행했고, 초기 시험에서 속도·신뢰성이 요구 조건에 못 미친 부분을 일부 회로 리비전으로 보완한 샘플을 조만간 추가 제출할 예정임.

[2] 엔비디아 HBM4 퀄 결과, 내년 초 전망

SK하이닉스는 수만 개 샘플 칩을 여러 차례 나눠 공급하며 테스트를 진행 중이며, 업계에서는 이번 수정이 전면 재설계가 아닌 통상적인 기능 수정 수준으로, 구체적인 퀄리피케이션 결과가 내년 초 나올 것으로 보고 있음.

[3] 삼성전자, PRA 완료 후 CS 인증 돌입

삼성전자는 지난달 HBM4 내부 승인(PRA)을 마치고 엔비디아 CS 인증 단계에 들어갔으며, 회사 내부에서는 샘플 성능에 대한 자신감을 보이는 분위기가 형성돼 있는 것으로 전해짐.

[4] 4㎚ 베이스 다이·1c D램 적용 강점 부각

삼성 HBM4는 베이스 다이를 경쟁사보다 앞선 4나노 파운드리 공정으로 제작하고, 코어 다이에 10나노급 6세대(1c) D램을 적용해 성능·효율 측면에서 우위를 확보했다는 평가가 나오고 있음.

[5] HBM4 물량 협상 병행

양사는 엔비디아와 HBM4 퀄 테스트를 진행하는 동시에 내년 루빈 시리즈용 HBM4 공급 물량 협상을 병행하며 차세대 AI 가속기용 HBM 시장 주도권 경쟁을 이어가는 상황임.