[제20260128-TT-01호] 2026년 1월 28일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

SK키파운드리, 4세대 200V 고전압 180nm BCD 공정 출시

(2026년 1월 28일, ZDnet Korea, 장경윤 기자)

[핵심 요약]

[1] 4세대 200V 고전압 BCD 공정 출시

SK키파운드리가 4세대 200V 고전압 0.18마이크론 BCD 공정을 출시하고 연내 양산을 목표로 국내외 주요 고객과 제품 개발 진행 중.

[2] 고전압 반도체 시장 수요 급증

자동차 전동화로 전압 체계가 12V에서 48V로 전환되고 있으며 AI 서버·데이터센터는 380V DC에서 최대 800V DC까지 전압을 높이면서 고전압 공정 수요 급증.

[3] 3세대 대비 성능 20% 이상 개선

4세대 공정은 전력 효율성과 고온 내구성을 나타내는 Rsp·BVDSS 특성을 3세대 대비 20% 이상 개선했으며 동작 전압별 낮은 온저항 소자로 칩 면적과 전력 손실 최소화.

[4] 다양한 메모리 옵션과 센서 기능

Thick IMD 옵션으로 디지털 신호는 안전하게 전송하면서 고전압·노이즈는 차단하며 SRAM·ROM·MTP·OTP 내장 메모리 옵션과 정밀 모터 제어용 홀 센서 제공.

[5] 차량용 고신뢰성 규격 충족

AEC-Q100 Grade 0 규격을 충족해 극한 환경에서도 높은 신뢰성이 요구되는 차량용 전장 부품에 즉시 적용 가능하며 고전압 전력 관리·변환 칩·모터 드라이버 등 다양한 제품 개발에 활용.