[제20260219-TT-01호] 2026년 2월 19일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

엔비디아 AI가속기 '급 나누기' 가나…HBM4 처리속도에 주목

(2026년 2월 19일, 전자신문, 이형두 기자)

[핵심 요약]

[1] 엔비디아, HBM4 듀얼 빈 구조 검토로 고성능 중심 전략

엔비디아가 HBM4 공급 안정성과 성능을 동시에 잡기 위해 듀얼 빈(최상위-차상위 등급 분리) 구조를 검토 중이며, 핵심 제품에 11.7Gbps 이상 최상위 빈을 우선 적용할 가능성

[2] 삼성 HBM4, 11.7Gbps 속도로 기술 우위 확보

삼성 HBM4가 1c(6세대 10나노급) D램과 4나노 베이스 다이를 적용해 11.7Gbps 동작, JEDEC 표준 8Gbps 대비 46% 상회하며 HBM3E(9.6Gbps)보다 1.22배 향상된 성능

[3] 빅테크 메모리 병목 문제 해결이 핵심 과제

빅테크들이 GPU 연산 속도는 빠르지만 메모리 전송 속도가 따라가지 못하는 병목 현상을 해결하기 위해 고성능 메모리 공급 전략을 모색 중

[4] 삼성, 최상위 빈 안정 생산으로 영향력 강화 전망

엔비디아가 고성능 빈 중심으로 가속기 성능 극대화를 추구하면서 최상위 빈을 안정적으로 공급할 수 있는 삼성의 영향력이 커질 것으로 업계 평가