[제20260308-TT-01호] 2026년 3월 8일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

HBM 20단 시대 '800㎛' 규격 완화 논의 본격화

(2026년 3월 8일, 전자신문, 이형두 기자)

[핵심 요약]

[1] HBM 20단 적층 대비 규격 완화 논의 시작

차세대 고대역폭메모리(HBM) 20단 적층 상용화를 앞두고 국제 반도체 표준기구 JEDEC 회의에서 HBM 제품 높이를 800㎛ 이상으로 완화하는 방안이 주요 의제로 논의.

[2] 기존 775㎛ 규격으로는 공정 한계 발생

HBM 표준 높이는 기존 725㎛에서 775㎛로 한 차례 완화됐지만 20단 적층 공정에서는 물리적 한계가 발생해 추가 규격 완화 필요성이 커진 상황.

[3] 초박형 가공 공정이 수율 저하 원인

기존 규격을 유지하려면 D램 칩을 극도로 얇게 만드는 백그라인딩 공정이 필요하며 이 과정에서 웨이퍼 파손 위험이 높아져 제조 수율이 크게 떨어질 수 있는 구조.

[4] 엔비디아 공급 안정성 전략도 영향

HBM 최대 수요처인 엔비디아가 성능보다 공급 안정성을 중시하는 전략을 보이며 HBM4에서 속도 사양을 두 단계로 운영하는 ‘듀얼 빈’ 전략을 검토하면서 두께 규격 완화 논의에도 영향을 준 상황.

[5] 규격 완화 시 기존 공정 활용 가능성 확대

규격이 완화되면 SK하이닉스는 기존 MR-MUF 공정을 20단 제품까지 적용할 수 있고 삼성전자도 공정 난이도를 낮춰 안정적인 생산과 수율 개선이 가능할 것으로 기대.