[제20260309-TT-01호] 2026년 3월 9일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약
- 이도윤
- 1일 전
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日 DNP, 반도체 유리기판 2028년 양산…韓과 경쟁 불가피
(2026년 3월 9일, 전자신문, 권동준 기자)
[핵심 요약]
[1] 일본 DNP, 반도체 유리기판 2028년 양산 계획
일본 다이니폰인쇄(DNP)가 차세대 반도체 기판으로 주목받는 유리기판을 2028년 양산할 계획을 협력사들과 공유하며 시장 진출 준비 본격화.
[2] 시생산 라인 확보와 샘플 출하 추진
이미 반도체 유리기판 파일럿 생산라인을 구축해 기술 고도화를 진행 중이며 올해 시제품 출하를 시작해 시장 검증을 진행할 계획.
[3] AI 확산으로 유리기판 수요 증가
AI 반도체 성능 요구가 높아지면서 휨 현상이 적고 미세 회로 구현이 용이한 유리기판이 차세대 반도체 패키지 기판 후보로 부상한 상황.
[4] 삼성전자·인텔 등 빅테크 도입 추진
삼성전자, 인텔, AMD, 브로드컴, 아마존웹서비스 등 주요 반도체 기업들이 AI 반도체 기판으로 유리기판 도입을 검토하며 관련 기술 개발 진행.
[5] 한국 기업과 양산 시점 겹치며 경쟁 예상
DNP의 양산 목표 시점이 앱솔릭스(SKC 자회사), 삼성전기, LG이노텍 등 국내 기업의 양산 계획과 비슷해 유리기판 시장에서 본격적인 경쟁이 불가피한 상황.
삼성전자, 7세대 HBM부터 새 전력망 도입…데이터 병목 현상 없앤다
(2026년 3월 9일, 한국경제, 강해령 기자)
[핵심 요약]
[1] 7세대 HBM4E부터 새로운 전력망 구조 적용
삼성전자가 내년 양산 예정인 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)에 새로운 전력 배선 구조를 도입해 HBM 성능 향상을 가로막던 데이터 병목 문제 해결 추진.
[2] 배선 밀집으로 발생하는 IR 드롭 문제 대응
HBM 세대가 진화하면서 TSV와 전력 배선·금속층이 증가해 배선 간격이 좁아지고 저항이 커지면서 전압이 떨어지는 ‘IR 드롭’ 현상이 발생하는 구조적 문제 존재.
[3] 전력 배선 블록을 4개로 분할해 구조 개선
삼성전자는 HBM 베이스 다이 하단의 전력 배선 블록을 4개로 나누고 상단 배선 구조도 세분화해 전력이 균형 있게 전달되도록 설계 변경.
[4] 전력 안정성과 칩 동작 속도 개선
전력망 구조 개선으로 전력 공급이 안정화되면 HBM 동작 속도와 칩 안정성이 동시에 향상되는 효과 기대.
[5] 금속 회로 불량률 97% 감소 효과
삼성전자에 따르면 새 전력망 설계 적용 시 HBM4 대비 금속 회로 불량이 97% 줄고 전력 공급 불안정 문제(IR 드롭)도 약 41% 개선된 것으로 나타난 상황.