[제20260408-TT-01호] 2026년 4월 8일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

누운 HBM 세웠더니 대역폭 4배…'수직 다이' 개발 박차

(2026년 4월 8일, 전자신문, 이형두 기자)

[핵심 요약]

[1] 수직 다이 기반 차세대 HBM 기술 개발

삼성전자 미래기술육성사업으로 추진된 ‘수직 다이(Vertical Die)’ 기술이 성과를 내며 기존 HBM 구조 한계를 극복할 대안으로 부각.

[2] 기존 HBM 구조 한계 극복 시도

현재 HBM은 TSV 기반 적층 구조로 I/O 확장과 발열 관리에 한계 존재. 수직 다이는 칩을 세워 배치해 구조적 제약을 해결하는 접근.

[3] I/O 10배·대역폭 4배 향상

수직 다이 구조 적용 시 동일 면적 기준 I/O 수를 기존 대비 약 10배 확대하고 대역폭은 4배 향상되는 성능 개선 확인.

[4] 실증 단계 기술 검증 진행

유리 기판 기반 배선 형성과 신호 무결성 검증을 완료했으며, 향후 실제 칩 접합 공정까지 확대 적용 계획.

[5] 발열 해결 및 AI 반도체 적용 기대

액체 냉각 구조 등 새로운 열 관리 방식 도입으로 발열 문제 해결을 추진하며, 초거대 AI 연산용 고성능·저전력 메모리 구현 가능성 기대.