[제20260505-TT-01호] 2026년 5월 5일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

삼성·SK도 주목…차세대 AI 메모리 'MRDIMM' 표준 완성 임박

(2026년 5월 5일, ZDNet Korea, 장경윤 기자)

[핵심 요약]

[1] MRDIMM 2세대 표준 완성 단계 진입

차세대 서버용 D램 모듈 MRDIMM의 2세대 표준이 JEDEC에서 개발 마무리 단계에 도달

[2] AI·HPC 최적화 메모리로 부상

MRDIMM은 AI·고성능컴퓨팅 환경에 최적화된 서버용 메모리로 향후 수요 확대 기대

[3] 랭크 병렬 동작으로 성능 향상

두 개의 랭크를 동시에 동작시켜 데이터 처리 속도를 높이는 구조가 핵심 특징

[4] 2세대 제품, 속도 45% 개선

2세대 MRDIMM은 최대 1만2800MT/s 속도를 구현해 기존 대비 약 45% 성능 향상

[5] HBM과 함께 데이터 병목 해결 역할

GPU용 HBM과 달리 CPU가 직접 접근하는 메인 메모리로 활용되며 데이터 병목 해소 기대

(2026년 5월 5일, 한국경제, 원종환 기자)

[핵심 요약]

[1] 400단대 ‘10세대 낸드’ 경쟁 본격화

삼성전자는 430단 낸드 양산을 준비하며 기존 300단대를 건너뛰고 초격차 확대 전략 추진

[2] 하이브리드 본딩, 핵심 공정으로 부상

칩을 범프 없이 직접 접합하는 하이브리드 본딩 기술이 성능을 높이는 차세대 핵심 공정으로 주목

[3] ‘꿈의 공정’ 선점이 시장 주도권 좌우

300단 이상 낸드에 적용 사례가 없는 기술로, 먼저 구현하는 기업이 시장 패권을 확보할 가능성 제기

[4] ICMS로 AI 저장 구조 변화 시도

엔비디아가 차세대 AI 시스템에 낸드 기반 저장장치(ICMS)를 도입하며 메모리 구조 변화 흐름 등장

[5] HBF 등 차세대 메모리 기술 병행 개발

삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭플래시(HBF) 등 새로운 낸드 기반 메모리 기술 개발을 병행하며 경쟁 심화