[제20260506-TT-01호] 2026년 5월 6일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

7세대 D램 한계, 삼성 '수직' vs SK '평면' 다른 해법

(2026년 5월 6일, 전자신문, 이형두 기자)

[핵심 요약]

[1] 7세대 D램 구조 혁신 경쟁 본격화

삼성전자와 SK하이닉스가 10나노 이하 7세대 D램(1d) 공정의 물리적 한계를 극복하기 위해 서로 다른 구조 혁신 전략 추진

[2] 삼성전자, 수직 적층 구조 연구

삼성전자는 셀을 위로 쌓는 16단 수직 적층 D램(VS-DRAM)과 GAA 기술 적용을 통해 집적도와 전류 제어 성능 향상 추진

[3] POC 방식으로 공간 효율 개선

삼성전자는 회로를 아래에 두고 셀을 위에 배치하는 POC(Peri-on-Cell) 구조를 적용해 공간 효율성과 구조 안정성 확보 시도

[4] SK하이닉스, 평면 극한 전략 추진

SK하이닉스는 셀 면적을 줄이는 4F² 수직 게이트 구조를 기반으로 집적도와 비용 경쟁력을 높이는 방향 연구 진행

[5] 차세대 D램 주도권 경쟁 전망

양사는 올해 VLSI 심포지엄에서 연구 성과를 공개할 예정이며 업계에서는 차세대 표준 선점 여부가 시장 주도권을 좌우할 것으로 전망