[제20260525-TT-01호] 2026년 5월 25일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

삼성전자, 세계 최초 '900단 V낸드' 구현…1000단 시대 초읽기

(2026년 5월 25일, 전자신문, 이형두 기자)

[핵심 요약]

[1] 삼성전자, 900단 V낸드 구현 성공

삼성전자가 450단 셀 웨이퍼 2장을 접합하는 기술을 활용해 세계 최초로 900단 클래스 V낸드 프로토타입 구현 성공

[2] 차세대 적층 기술 ‘CMB’ 적용

‘셀 멀티 본딩(CMB)’ 기술을 통해 초고단 적층 구조를 구현하며 1000단 낸드 시대 기반 확보

[3] 웨이퍼 휨·정렬 오류 극복

상부 척 설계와 독자적 오버레이 보정 기술을 적용해 초고단 적층 과정에서 발생하는 워피지와 정렬 오류 해결

[4] 전력 효율·칩 면적 개선 성과

새 비트라인(BL)·워드라인(WL) 구조 도입으로 전력 소비를 줄이고 칩 크기 효율까지 개선

[5] 중국 NAND 추격 대응 전략 부상

YMTC 등 중국 업체들의 300단급 NAND 양산 경쟁이 치열해지는 가운데 삼성전자가 초고단 기술로 기술 격차 확대 추진

(2026년 5월 25일, 전자신문, 권동준 기자)

[핵심 요약]

[1] 차세대 PI 기판 기술 공동 개발

비아코어와 아큐레이저가 저선팽창 PI 신소재와 분자 접합 기술 기반 차세대 반도체 기판 솔루션 개발

[2] 기판 휨 현상 해결 추진

실리콘과 PCB 간 선팽창계수 차이로 발생하는 워피지와 범프 파손 문제를 저선팽창 PI 소재로 개선

[3] 고주파 신호 손실 40% 이상 감소

초평탄 구리박과 강한 결합력을 유지하는 분자 접합 기술을 적용해 고주파 신호 감쇠 문제 완화

[4] 유리기판 수준 성능·원가 절감 목표

유리기판 수준 성능 구현과 동시에 제조 비용을 약 40% 이상 절감 가능한 기술로 소개

[5] 6G·AI·우주항공 시장 공략 추진

6G 안테나 모듈, 저궤도 위성, AI 서버 등 고주파·고성능 시장을 겨냥해 본격 사업화 추진