[제20260603-TT-01호] 2026년 6월 3일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

반도체 레이저 어닐링 공정 저변 확대…SiC·400단 낸드 적용 추진

(2026년 6월 3일, 전자신문, 권동준 기자)

[핵심 요약]

[1] 레이저 어닐링 적용 분야 확대

기존 실리콘 웨이퍼 중심으로 활용되던 레이저 어닐링 공정이 SiC 전력반도체와 400단 이상 차세대 낸드플래시 영역까지 확대되는 추세

[2] 울프스피드, SiC 공정 도입 추진

SiC 웨이퍼 시장 1위인 울프스피드가 레이저 어닐링 장비 도입을 추진하고 있으며 국내 장비업체와 구매 협의를 진행 중인 것으로 파악

[3] 삼성전자도 SiC 파운드리에 적용 검토

2028년 양산을 목표로 SiC 파운드리 사업을 준비 중인 삼성전자가 레이저 어닐링 공정 도입을 검토하는 것으로 알려짐

[4] 400단 이상 낸드 핵심 공정으로 부상

초고단 낸드에서 깊어진 채널홀로 인한 전기적 특성과 구조 안정성 문제를 해결하기 위해 국소 결정화용 레이저 어닐링 기술 활용 추진

[5] 첨단 시스템 반도체로 확산 전망

2나노 이하 첨단 시스템 반도체 제조 공정에서도 국소 어닐링 적용 시도가 이어지고 있으며 관련 레이저 솔루션 시장 성장 기대