[제20260811-TT-01호] 2026년 8월 11일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

삼성전자, 1나노부터 고개구율 EUV 기술 적용

(2026년 8월 11일, ZDNet Korea, 장경윤 기자)

[핵심 요약]

[1] 삼성전자, 1나노 공정부터 High-NA EUV 적용

삼성전자가 이르면 2030년께 양산할 1나노 공정부터 차세대 노광 기술인 High-NA EUV를 적용하기 위해 현재 상용화 기술 개발을 진행

[2] 2나노·1.4나노에는 기존 EUV 활용

삼성전자는 2나노와 1.4나노 공정에서는 아직 기술적 보완이 필요해 0.33 NA EUV 기반 멀티 패터닝을 주력으로 적용하고 이후 차세대 공정부터 High-NA EUV를 본격 활용할 계획

[3] High-NA EUV, 더 미세한 회로 구현

High-NA EUV는 기존 EUV보다 개구수를 0.33에서 0.55로 높여 해상도를 향상시키는 기술로 초미세 회로를 보다 정밀하게 구현하는 데 유리

[4] 싱글 패터닝으로 비용·생산성 개선

High-NA EUV를 적용하면 기존 EUV에서 여러 번 진행해야 했던 패터닝을 한 번에 구현할 수 있어 공정 비용을 낮추고 생산성을 높이는 효과를 기대

[5] 고가 장비와 소재 기술 확보가 과제

High-NA EUV는 기술 난도가 높고 장비 가격도 비싼 데다 마스크와 펠리클 등 관련 소재 기술의 고도화도 필요해 향후 공정에서는 기존 EUV와 High-NA EUV가 함께 활용될 전망