[제20260818-TT-01호] 2026년 8월 18일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

앞서가는 TSMC…옹스트롬급에서 '후면 전력-기존 설계' 동시 달성

(2026년 8월 18일, 전자신문, 이형두 기자)

[핵심 요약]

[1] TSMC, A16 공정에서 후면 전력 기술 확보

TSMC가 옹스트롬급 A16 공정에서 업계 최초로 ‘슈퍼 파워 레일(SPR)’ 방식의 후면 전력 공급 기술을 개발·검증하며 차세대 선단공정 경쟁에서 기술 우위를 확보

[2] 기존 설계 구조 유지하면서 후면 전력 적용

TSMC는 전력 공급 경로를 칩 뒷면으로 분리하면서도 기존 N2P 공정의 게이트 밀도와 설계 유연성을 유지하고 앞면의 게이트 구조와 셀 크기, 레이아웃 면적도 거의 변경하지 않아 기존 설계와의 호환성을 확보

[3] 성능과 전력 효율 동시에 개선

기존 N2P 공정과 비교해 같은 전력에서 속도를 8~10% 높이거나 같은 속도에서 전력 소비를 15~20% 줄일 수 있으며 칩 밀도도 8~10% 높일 수 있는 것으로 제시

[4] AI·HPC 칩에 적합한 후면 전력 기술

전력 배선과 신호 배선을 분리해 미세공정에서 발생하는 배선 혼잡과 전압 강하 문제를 줄일 수 있어 전력과 성능을 동시에 요구하는 AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 칩에 특히 유리

[5] 4분기 양산 앞두고 선단공정 경쟁 확대

TSMC는 A16 공정 양산을 2026년 4분기부터 시작할 예정이며 인텔과 삼성전자도 후면 전력 기술을 추진하고 있어 옹스트롬급 공정에서 공정 기술뿐 아니라 기존 설계 생태계와의 호환성까지 포함한 경쟁이 본격화될 전망