[제20260826-TT-01호] 2026년 8월 26일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

SK하이닉스, 델 포럼서 AI 메모리 총망라…HBM4·eSSD 등 공개

(2026년 8월 26일, 한국경제, 노유정 기자)

[핵심 요약]

[1] SK하이닉스, AI용 차세대 메모리 대거 공개

SK하이닉스가 델 테크놀로지스 포럼에서 HBM4E를 비롯해 AI 서버용 D램과 eSSD 등 다양한 AI 메모리 제품을 공개하며 풀스택 AI 메모리 전략을 선보임

[2] HBM4E·HBM4 웨이퍼와 SOCAMM2 전시

7세대 HBM4E와 함께 6세대 HBM4 웨이퍼 실물을 공개했으며 차세대 저전력 메모리 모듈인 SOCAMM2도 선보임

[3] 고용량·고성능 서버 D램 제품군 확대

업계 최대 용량인 256GB 3DS RDIMM과 128GB MRDIMM, 10㎚급 공정을 적용한 64GB RDIMM 등 AI 서버용 고성능 D램 제품도 함께 공개함

[4] AI 데이터센터용 eSSD 제품도 공개

액체냉각을 지원하는 PEB210 E1.S와 고용량·저전력 제품인 PS1110 E3.S를 선보였으며 회사 최초의 QLC 기반 eSSD도 공개함

[5] 델과 협력 강화하며 풀스택 AI 역량 확대

SK하이닉스는 델 포럼에서 처음으로 파트너사 대표 키노트를 진행하며 메모리가 AI 전 영역의 성능을 좌우하는 핵심 동력이라고 강조했고 주요 글로벌 빅테크와의 전략적 파트너십 확대 방침도 밝힘

(2026년 8월 26일, 전자신문, 박유민 기자)

[핵심 요약]

[1] 유리기판 상용화 앞두고 양산 기술 경쟁

반도체 유리기판 상용화를 앞두고 국내 소부장 업체들이 미세균열과 파손을 줄이기 위한 TGV 공정 기술과 실제 가공 샘플을 선보이며 양산 기술력 확보에 나서고 있음

[2] 켐트로닉스, TGV 충진 시간 단축 기술 공개

켐트로닉스는 기존 구리 전해도금 대신 메탈 파우더 기반 소재로 TGV를 채우는 기술을 공개했으며 20억원 이하의 설비 투자비로 전극 충진 시간을 1시간 이내로 줄이는 것을 목표로 함

[3] 아큐레이저, TGV 홀 형상 맞춤 가공

아큐레이저는 케미컬 에칭을 활용해 고객이 요구하는 TGV 홀의 형상과 구조에 맞춰 공정을 설계하는 기술을 선보였으며 관련 특허 출원도 준비하고 있음

[4] 신도기연, 글라스 세라믹 기반 TGCV 개발

신도기연은 유리의 낮은 신호 손실과 세라믹의 내열성을 결합한 글라스 세라믹 기반 수직배선 기술 TGCV를 선보이며 AI 반도체와 HBM 등 고성능 패키징 분야 적용을 추진하고 있음

[5] 기술 구현에서 양산성 확보로 경쟁 초점 이동

유리기판은 미세 배선에 유리하지만 TGV 가공과 후속 공정에서 크랙과 치핑이 발생하기 쉬워 수율 확보가 과제로 남아 있으며 업계 경쟁도 단순한 기술 개발에서 비용·공정 시간·불량을 줄이는 양산성 입증 단계로 넘어가고 있음