[제20260902-TT-01호] 2026년 9월 2일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

TSMC, HBM 패키징 당분간 '마이크로범프'…협력사에 5μm 숙제

(2026년 9월 2일, 전자신문, 이형두 기자)

[핵심 요약]

[1] TSMC, HBM 패키징에 마이크로범프 유지

TSMC가 HBM과 AI 가속기를 연결하는 첨단 패키징에서 하이브리드 본딩 대신 기존 마이크로범프 방식을 당분간 유지할 전망이며 HBM4 후반~HBM5 초입까지 더 미세한 범프 기술을 적용할 것으로 예상됨

[2] 협력사에 5μm급 범프 개발 요청

TSMC가 소재·장비 협력사에 5μm급 접합과 언더필 개발을 요청했으며 국내외 공급망에서 개발이 진행되고 있고 5μm급 범프의 양산은 2028년 하반기로 예상됨

[3] 범프 미세화로 HBM 접점 밀도 확대

HBM은 정해진 큐브 높이 안에서 입출력 접점을 늘려야 하는 만큼 범프를 낮고 촘촘하게 만드는 것이 중요하며 JEDEC의 HBM 큐브 높이 규격은 775μm로 정해져 있음

[4] 하이브리드 본딩은 아직 적용에 한계

하이브리드 본딩은 범프 없이 구리 패드를 직접 연결해 더 얇고 촘촘한 구조를 구현할 수 있지만 현재는 수율과 검사, 양산 검증이 완료된 마이크로범프 방식을 쉽게 대체하기 어려운 상황임

[5] 핵심 과제는 5μm급 언더필 기술 확보

5μm급으로 범프를 미세화하려면 보이드가 없는 언더필과 잔류 플럭스, 접합 정렬 문제를 동시에 해결해야 하며 특히 미세 범프를 안정적으로 보증할 수 있는 언더필 개발이 중요한 과제로 부상함