[제20260928-TT-01호] 2026년 9월 28일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

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"반도체 생산량 4배"…日레조낙 300㎜ SiC 개발 성공

(2026년 9월 28일, 한국경제, 최만수 기자)

원문보기: https://www.hankyung.com/article/202609289292i

[핵심 요약]

[1] 레조낙, 300㎜ SiC 단결정 기판 개발

레조낙이 일본 기업 최초로 직경 300㎜ SiC 단결정 기판 개발에 성공했으며 기존 150㎜ 제품과 같은 공정을 적용하면 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩 수가 4배로 늘어남

[2] 대구경화로 생산비 절감 기대

웨이퍼 크기가 커지면 한 장에서 더 많은 칩을 생산할 수 있어 양산 비용을 낮출 수 있으며 미국·중국·일본 업체들의 300㎜ SiC 기술 경쟁도 본격화되고 있음

[3] AI 데이터센터용 전력반도체 수요 주목

SiC는 실리콘보다 전력 효율이 높고 발열에 따른 에너지 손실이 적어 전기차뿐 아니라 전력 소비가 증가하는 AI 데이터센터용 전력반도체 소재로도 주목받고 있음

[4] 300㎜ 상용화는 아직 과제

현재 300㎜ SiC 기판을 본격 상용화한 업체는 없으며 결정 성장 과정의 결함과 대형 기판의 절단·연마, 휨·균열 억제 등이 기술적 과제로 남아 있음

[5] 레조낙, 양산 투자 여부는 고객 수요 확인 후 결정

레조낙은 당분간 150㎜에서 200㎜로 전환되는 시장에 대응하면서 고객 수요를 살펴본 뒤 300㎜ 양산 투자 여부를 결정할 방침이며 한국 업체들도 대구경 SiC 기술 확보와 투자 확대 압박을 받을 전망임