[제20261008-TT-01호] 2026년 10월 8일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

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“D램 쌓고 보자”…치열해지는 패키징 경쟁

(2026년 10월 8일, 중앙일보, 김수민 기자)

원문보기: https://www.joongang.co.kr/article/25467984

[핵심 요약]

[1] 난야, 3D 메모리 패키징 공장 건설

세계 5위 D램 업체 난야테크놀로지가 대만 핑둥과학단지에 3D 패키징·테스트 공장을 건설하며 이미 생산된 D램을 여러 층으로 쌓고 연결하는 첨단 패키징 기술 확보에 나섬

[2] 맞춤형 D램 ‘UWIO’ 개발

난야는 AI 추론용 맞춤형 D램인 ‘울트라와이드IO(UWIO)’를 개발하고 있으며 메모리와 연산 칩 사이의 데이터 입출력 통로를 넓히고 고객사의 AI 칩에 맞춰 설계하는 방식임

[3] TSV·웨이퍼 적층 기술 적용

새 공장에는 실리콘관통전극(TSV)과 웨이퍼 적층 기술이 적용되며 TSV는 여러 층의 칩을 연결하고 웨이퍼 적층은 여러 칩이 붙어 있는 웨이퍼를 겹쳐 연결하는 방식임

[4] CXMT도 HBM 생산에 도전

중국 D램 업체 CXMT도 적층 기술 확보에 나섰지만 개발 중인 8단 HBM3의 생산 수율이 25~30% 수준에 머물고 있음

[5] 메모리 경쟁의 무게중심이 첨단 패키징으로 이동

AI 메모리 경쟁이 단순한 D램 생산능력 확대를 넘어 맞춤형 HBM 설계와 여러 칩을 쌓고 연결하는 첨단 패키징 기술 확보 경쟁으로 확대되고 있음