[제20261012-TT-01호] 2026년 10월 12일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

이도윤

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SK하이닉스, 범용 CPU 한계 넘는 초경량 'H-TPU' 솔루션 공개

(2026년 10월 12일, ZDNet Korea, 전화평 기자)

[핵심 요약]

[1] SK하이닉스, 초경량 H-TPU 아키텍처 공개

SK하이닉스가 국제SoC학술대회(ISOCC 2026)에서 범용 CPU의 전력·면적 한계를 보완하기 위한 자체 개발 프로세서 H-TPU를 공개함

[2] CPU 대비 면적·전력 소모 25분의 1

H-TPU는 SSD 데이터 처리와 트랜잭션 제어를 담당하는 프로그래머블 프로세서로, 간결한 4단계 파이프라인을 적용해 범용 CPU 코어 대비 면적과 전력 소모를 각각 약 25분의 1 수준으로 줄임

[3] 반복 작업을 전용 하드웨어로 처리

하드웨어 자동화(HWA)를 통해 명령어 처리와 데이터 주소 검색, 임시 저장소 복사 등 반복 작업을 전용 회로에 맡기고 예외 상황과 주요 정책 결정에 CPU와 H-TPU를 활용해 시스템 효율을 높이는 구조를 추진함

[4] 차세대 메모리 HBF와 연계

SK하이닉스는 H-TPU 기반 컨트롤러를 고대역폭 플래시(HBF)와 결합해 대용량 낸드플래시를 AI 추론용 메모리 자원으로 활용하는 방안을 개발하고 있음

[5] AI 추론의 데이터 접근 지연 최소화

AI 컴파일러와 런타임이 데이터 흐름을 미리 파악해 HBF 컨트롤러에 전달하면 버퍼 관리와 캐시 프리페치를 선제적으로 수행해 낸드플래시의 접근 지연을 연산 시간 뒤로 감추는 방식으로 처리 효율을 높일 계획임

(2026년 10월 12일, 파이낸셜뉴스, 이석우 기자)

[핵심 요약]

[1] CXMT, 차세대 서버용 DDR5 RDIMM 출시

추진 중국 창신메모리(CXMT)가 연내 4F² 아키텍처를 적용한 서버용 메모리 제품 DDR5 RDIMM을 출시할 계획을 밝힘

[2] VSG 트랜지스터로 누설 전류 개선

CXMT가 자체 개발한 VSG 트랜지스터는 채널을 수직으로 둘러싸는 구조를 적용해 누설 전류 문제를 개선하고 메모리 집적도를 높이는 방식임

[3] 6F²에서 4F²로 D램 집적도 향상

기존 D램 업계의 주류 구조인 6F²보다 작은 4F² 아키텍처를 적용하면 단위 면적에 더 많은 트랜지스터를 배치할 수 있어 메모리 집적도를 높일 수 있음

[4] 서버용 메모리 시장으로 사업 영역 확대

가전제품용 메모리에 집중해 온 CXMT가 서버용 DDR5 RDIMM 출시를 추진하면서 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 주도해 온 서버 메모리 시장으로 진출을 확대함

[5] 차세대 메모리 기술 선점 가능성 주목

글로벌 주요 메모리 업체들도 4F² 또는 유사한 3D D램 기술을 개발하고 있지만 대규모 상용화에는 이르지 못한 상황으로, CXMT가 해당 구조의 제품을 먼저 출시하면 차세대 메모리 경쟁에서 입지를 강화할 가능성이 있음