[제20261022-TT-01호] 2026년 10월 22일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

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마이크론 “4F² D램은 신화일 뿐” 공식 포기… '3D D램·웨이퍼 본딩' 집중 승부수

(2026년 10월 22일, 전자신문, 이형두 기자)

원문보기: https://www.etnews.com/20261022000027

[핵심 요약]

[1] 마이크론, 4F² D램 개발 전략 공식 포기

마이크론은 20년 넘게 연구했지만 실현 가능한 미세화 경로가 없다고 판단해 4F² 구조 대신 기존 6F² 구조를 유지하기로 함.

[2] 2027년 1델타 D램 양산 추진

현재 1감마(1γ) 공정에 이어 2027년 하반기 미국 아이다호주 보이시에서 1델타(1δ) D램 양산을 시작하고, 후속 1엡실론(1ε) 공정에는 웨이퍼 본딩 기술을 도입할 계획임.

[3] 차세대 기술 중심을 3D D램으로 전환

마이크론은 1제타(1ζ)와 1에타(1η) 사이에 3D D램 개발 단계를 배치하고, High-NA EUV와 신소재 연구를 병행해 경제성이 확보되면 상용화할 방침임.

[4] 프로세서 위에 메모리 쌓는 '버티컬 HBM' 공개

기존 HBM이 프로세서 옆에 배치되는 것과 달리, 버티컬 HBM은 프로세서 바로 위에 메모리를 적층하고 미세 피치 하이브리드 본딩으로 접합하는 구조임.

[5] 한국 기업과의 경쟁, 3D 적층 기술로 승부

마이크론은 삼성전자·SK하이닉스가 연구 중인 4F² 구조의 직접 경쟁 대신 웨이퍼 본딩과 3D D램·HBM 기술에 집중하는 개발 전략을 제시함.