[제20261025-TT-01호] 2026년 10월 25일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약
GIST 반도체 혁신기술 2종 뜬다…'유리 기판·2차원 소재' 눈길
(2026년 10월 25일, 머니투데이, 최태범 기자)
[핵심 요약]
[1] GIST, 반도체 유리기판용 저유전 소재 개발
김복현 GIST 고등광기술연구원 연구팀이 알루미노붕규산염 유리의 조성을 조절해 유전특성과 열적 안정성을 개선하고, 고속 신호의 손실과 발열을 줄이는 특수유리 소재 기술을 개발함.
[2] 유리기판, AI 반도체의 신호 손실·뒤틀림 개선 목표
기존 유기기판의 열변형과 고속 신호 감쇠 문제를 보완하기 위해 저유전 특성뿐 아니라 실리콘과 유사한 열팽창 특성, 기계적 강도와 가공성을 함께 확보하는 데 초점을 맞춤.
[3] 유리 내부에 빛의 통로를 만드는 광인터커넥트로 확장
연구팀은 유리 내부에 광도파로를 형성해 구리 배선 대신 빛으로 데이터를 전달하는 기술로 확장할 계획이며, 관련 패키징·광통신 기업과의 협력도 추진 중임.
[4] 실리콘 한계 보완할 2차원 반도체 박막 합성 기술 개발
임현섭 GIST 화학과 교수 연구팀은 이황화몰리브덴 등 원자층 수준의 2차원 반도체 소재를 대면적에 균일하게 합성하기 위해 분자 전구체를 활용한 공정 기술을 개발함.
[5] 대면적 생산의 핵심은 박막 품질의 재현성
고체 원료 대신 기체 형태의 옥시염화몰리브덴·옥시염화텅스텐 전구체를 활용해 투입량 제어를 정밀화하고, 소재가 성장하는 원리를 규명해 웨이퍼 전반의 균일한 품질과 양산 적용 가능성 확보에 집중함.
KERI, SiC 전력반도체 '불량 판별' 글로벌 기준 15년만에 바로잡았다
(2026년 10월 25일, 전자신문, 노동균 기자)
[핵심 요약]
[1] SiC 전력반도체 결함 판별 기준 오류 규명
한국전기연구원(KERI) 연구팀이 약 15년간 국제 기준으로 통용된 SiC 전력반도체의 프랭크형 적층결함 발광 파장 오류를 바로잡음.
[2] 실제 결함 파장 424nm에서 459nm로 수정
원자 구조와 광발광 측정, 이론 계산을 교차 검증한 결과 기존 국제 기준의 424nm가 아닌 459nm가 실제 결함의 특성 파장임을 규명함.
[3] 원자 단위 분석으로 불량 판별 정확도 향상
결함 위치를 광학적으로 찾은 뒤 시료를 나노미터 단위로 정밀 가공하고, 원자분해능 주사투과전자현미경과 슈퍼컴퓨터 계산으로 실제 원자 배열을 확인하는 분석법을 적용함.
[4] 산학연 공동연구로 국제 학술 성과 확보
KERI·충남대·호리바에스텍코리아·SK실트론이 공동연구를 수행했으며, 연구 결과는 국제 학술지 《Acta Materialia》에 게재됨.
[5] 전력반도체 품질·신뢰성 개선 기대
이번 연구는 전기차와 신재생에너지 설비 등에 사용되는 SiC 전력반도체의 소재 품질과 소자 신뢰성을 높이고, 전력변환 시스템의 에너지 효율 개선에 기여할 것으로 기대됨.