[제20261110-TT-01호] 2026년 11월 10일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약

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삼성전자, 첨단 패키징 '3D 큐브-H' 내년 초 개발완료 목표

(2026년 11월 10일, ZDNet Korea, 장경윤 기자)

원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20261110104822

[핵심 요약]

[1] 삼성전자, 하이브리드 본딩 기반 3D 큐브-H 개발

삼성전자가 하이브리드 본딩을 적용한 차세대 3D 패키징 기술 '큐브-H'를 개발 중이며, 2027년 초 첫 디자인 키트 완성을 목표로 추진.

[2] 칩 간 연결 간격 25㎛에서 6㎛로 축소

기존 TC 본딩의 최소 피치가 약 25㎛인 데 비해 큐브-H는 6㎛ 수준을 목표로 하며, 칩 간 연결 밀도 향상 기대.

[3] 구리 단자 직접 접합으로 전력·발열 개선

하이브리드 본딩은 미세 범프 없이 칩 간 구리 단자를 직접 연결하는 방식으로, 데이터 전송 효율과 전력 효율을 높이고 발열을 줄이는 기술.

[4] GPU·HBM 수직 적층으로 적용 확대

고성능 GPU 등 로직 반도체끼리 적층하거나 HBM 위에 로직 반도체를 쌓는 구조에 활용할 수 있어 차세대 AI 반도체의 집적도 향상에 기여할 전망.

[5] 글로벌 빅테크 고객 확보를 위한 기술 경쟁력 강화

삼성전자는 2027년 초 디자인 키트 완성 이후 잠재 고객사와 기술 평가를 진행할 계획이며, 첨단 패키징을 통해 파운드리 고객 확보와 AI 반도체 경쟁력 강화 추진.