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[제 20260214-AI-01호] 2026년 2월 2주차 글로벌 반도체산업 관련 기사 분석
“2나노·HBM4·관세·제재”… 기술·정책·자본이 동시에 재편하는 반도체 패권 지도 글쓴이: 이종욱 2월 2주차 글로벌 반도체 산업은 네 가지 키워드로 요약이 된다. 즉, 초미세 공정(2~3나노) 경쟁 본격화, HBM4 중심의 AI 메모리 전면전, 미·중·EU·일본의 국가 주도 산업 전략 강화, 공급자 우위 재확인 등이 그것이다. 기술 경쟁이 단순 기업 간 대결을 넘어 국가 블록 간 산업 패권 경쟁으로 확장되는 양상이다. 다음은 주요 기사의 요약이다. [1] 일본의 ‘투트랙 첨단공정’…TSMC-라피더스 연합 전선 일본은 파운드리 생태계 복원에 사실상 ‘올인’하고 있다. 대만의 TSMC는 일본 구마모토 2공장에서 3나노 생산을 추진하고, 일본 반도체 연합 라피더스는 2나노 독자 공정 상용화를 목표로 한다. 내년 2나노·3나노 동시 생산 체제를 구축하는 ‘투 트랙’ 전략이다. 특히 일본 정부는 라피더스에 약 2조9000억엔을 투입했고, 2030년까지
Jong Wook Lee
6일 전
News & Analysis
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[제20260220-TM-01호] 2026년 2월 20일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약
삼성·SK, 낸드 공정 다이어트…원가 경쟁 불붙는다 (2026년 2월 20일, EBN, 진운용 기자) 원문보기: https://www.ebn.co.kr/news/articleView.html?idxno=1700331 [핵심 요약] [1] 삼성·SK, HARC 식각 공정 단축으로 낸드 원가 절감 경쟁 삼성전자와 SK하이닉스가 300단 이상 D 낸드플래시 제조 원가 절감을 위해 핵심 공정인 HARC(고종횡비 식각) 단축에 집중하며 원가 경쟁을 가속화 [2] 삼성, HARC 공정 하나로 통합하는 '하크' 기술 도입 삼성전자가 여러 공정을 하나로 묶는 HARC 통합 기술로 공정 효율성을 높이고 있으며, 경쟁사보다 우수한 공정 효율 달성으로 평가됨 [3] SK하이닉스, AIP(All-In-Plug) 기술로 20~25% 공정 축소 SK하이닉스가 AIP 기술로 HARC 공정 하나로 마무리하는 방향으로 개발 가속화, 450단 제품부터 적용 예정으로
6분 전
[제20260220-TT-01호] 2026년 2월 20일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약
LPDDR6' 시대 성큼…AI·HPC 수요 확대 기대감↑ (2026년 2월 20일, ZDNet Korea, 장경윤 기자) 원문보기: https://zdnet.co.kr/view/?no=20260220100327 [핵심 요약] [1] LPDDR6, 예상보다 빠른 상용화 전망 차세대 저전력 D램(LPDDR6)이 서버·엣지 AI 수요 급증으로 당초 예상보다 빠르게 시장 안착될 전망 [2] 대역폭 10.6~14.4Gbps, LPDDR5X 대비 1.5배 성능 향상 LPDDR6 표준이 지난해 7월 제정됐고, 최대 14.4Gbps 대역폭으로 LPDDR5X(최대 10.7Gbps)보다 1.5배 성능이 높아짐 [3] 삼성·퀄컴, 차세대 AP에 LPDDR6 IP 탑재 계획 삼성전자·퀄컴 등 모바일 AP 설계 기업들이 온디바이스 AI 탑재를 위해 차세대 칩부터 LPDDR6 지원으로 전환 [4] AI·HPC 칩 설계사, LPDDR5X·LPDDR6 병행 채택 검토 고성능
7분 전
[제20260220-TE-01호] 2026년 2월 20일 반도체 장비 관련 주요 뉴스 요약
삼성·한화, '하이브리드 본더' 개발 속도…ASML 협력사와도 동맹 (2026년 2월 19일, 한국경제, 강해령 기자) 원문보기: https://www.hankyung.com/article/202602191767i [핵심 요약] [1] 한화세미텍·프로드라이브, 하이브리드 본더 핵심 부품 협력 가동 한화세미텍이 ASML 파트너사인 네덜란드 프로드라이브와 하이브리드 본더 개발 협력 강화, 프로드라이브가 고정밀 모션 드라이브·고주파 RF 증폭 모듈 등 핵심 부품 설계 담당 [2] 세메스, W2W 하이브리드 본더 개발로 삼성 내부 평가 우수 결과 삼성전자 세메스가 웨이퍼-투-웨이퍼(W2W) 하이브리드 본더 개발 중이며, 삼성전자 내부 테스트에서 D2W 본딩 대비 우수한 평가를 받은 것으로 확인됨 [3] 하이브리드 본딩, 범프 없이 칩 결합으로 고성능·얇은 패키징 실현 하이브리드 본딩은 범프 없이 칩 간격을 0에 가깝게 만들어 데이터 전송 속도 향상과 칩
9분 전
[제20260219-TT-01호] 2026년 2월 19일 반도체 기술 관련 주요 뉴스 요약
엔비디아 AI가속기 '급 나누기' 가나…HBM4 처리속도에 주목 (2026년 2월 19일, 전자신문, 이형두 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260219000091 [핵심 요약] [1] 엔비디아, HBM4 듀얼 빈 구조 검토로 고성능 중심 전략 엔비디아가 HBM4 공급 안정성과 성능을 동시에 잡기 위해 듀얼 빈(최상위-차상위 등급 분리) 구조를 검토 중이며, 핵심 제품에 11.7Gbps 이상 최상위 빈을 우선 적용할 가능성 [2] 삼성 HBM4, 11.7Gbps 속도로 기술 우위 확보 삼성 HBM4가 1c(6세대 10나노급) D램과 4나노 베이스 다이를 적용해 11.7Gbps 동작, JEDEC 표준 8Gbps 대비 46% 상회하며 HBM3E(9.6Gbps)보다 1.22배 향상된 성능 [3] 빅테크 메모리 병목 문제 해결이 핵심 과제 빅테크들이 GPU 연산 속도는 빠르지만 메모리 전송 속도가 따라가지 못하는 병목 현
8시간 전
[제20260219-TE-01호] 2026년 2월 19일 반도체 장비 관련 주요 뉴스 요약
테스, 화합물 반도체 'AIN 에피 공정' 혁신…글로벌 선두 노린다 (2026년 2월 19일, 전자신문, 이형두 기자) 원문보기: https://www.etnews.com/20260219000264 [핵심 요약] [1] 테스, AlN 에피 공정 기술 검증 완료·GaN 에피 양산 준비 테스가 화합물 반도체 에피 장비 시장 진출을 앞두고 AlN 에피 공정 기술 검증을 완료하고 GaN 에피 시스템 양산 준비에 돌입 [2] 수평형 노즐로 가스 균일도 문제 해결 ‘튜블 트리플 페어 노즐’ 기술을 적용해 수평형 노즐 구조와 상·하 독립 제어로 웨이퍼 상 가스 균일도를 확보 [3] 34회 연속 공정 동일 품질 재현성 입증 레시피 수정 없이 34회 연속 공정에도 동일 품질 유지, 예방 정비 후에도 같은 결과로 공정 재현성 우수성 확인 [4] SiC 장비 균일도 1% 미만, 글로벌 수준 상회 SiC 장비에서 8인치 기준 두께 균일도 1% 이하(평균 0.69%)
8시간 전
[제20260219-TI-01호] 2026년 2월 19일 글로벌 반도체 산업 관련 주요 뉴스 요약
머스크, 태극기 내걸고 “한국 AI 반도체 인재, 테슬라 오라” (2026년 2월 19일, 서울신문, 장진복 기자) 원문보기: https://www.seoul.co.kr/news/economy/industry/2026/02/19/20260219030006 [핵심 요약] [1] 머스크, 테슬라 X에 태극기 걸고 한국 반도체 인재 직접 공개 채용 일론 머스크가 X에 테슬라코리아 AI 칩 설계 엔지니어 채용 공고를 공유하며 “한국에 있으면서 반도체 설계·제조·소프트웨어 분야에서 일하고 싶다면 테슬라에 합류하라”고 태극기 이모티콘과 함께 직접 호소 [2] 테슬라코리아 채용 공고, 세계 최고 생산량 AI 칩 아키텍처 목표 테슬라코리아가 15일 AI 칩 설계 엔지니어 모집 공고를 올렸고, 이 프로젝트가 세계 최고 생산량을 기록할 AI 칩 아키텍처 개발을 목표로 한다는 점이 강조됨 [3] 특정 국가 지목한 머스크의 직접 공유, 이례적 행보 머스크가 자사 채용
8시간 전
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