[제20250610-TM-01호] 2025년 6월 10일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약

삼성전자, 차세대 D램에 ‘건식 PR’ 첫 적용

(2025년 6월 10일, 전자신문, 박진형 기자)

[핵심 요약]

[1] D램 업계 최초 ‘건식 포토레지스트(PR)’ 적용

삼성전자가 6세대(1c) D램에 건식 PR을 처음으로 도입함. D램에 건식 PR 적용은 반도체 업계 최초로, 수율 향상과 경쟁력 강화를 위한 시도임

[2] 미세 회로 구현과 수율 향상에 기여

건식 PR은 10나노미터(㎚) 이하 초미세 공정에서 습식 PR의 패턴 붕괴 문제를 해결해, 미세 회로 구현과 수율 향상에 크게 기여함

[3] 미국 램리서치 장비 도입 및 협력

삼성전자는 평택 4공장(P4)에 램리서치의 건식 PR 장비(언더레이어·증착·현상장비 등)를 도입했으며, ASML·imec·엔테그리스·겔레스트 등과 협력해 기술을 발전시켜 왔음

[4] 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력 강화

6세대 D램은 HBM4 등 고성능 메모리에 활용되며, 건식 PR 도입으로 미세 회로 품질과 신뢰성이 높아져 HBM 성능 강화에 발판이 됨

[5] 내년부터 본격 양산 전망

건식 PR을 적용한 6세대 D램은 내년부터 본격적으로 양산될 전망이며, HBM4 시장 출시와 맞춰 공정 경쟁력이 크게 향상될 것으로 기대됨