top of page
post-ai-image-2694.png
title2.png

Tech Trends &

Tech Trends &

ANALYSIS

ANALYSIS

[제20250618-TI-01호] 2025년 6월 18일 글로벌 반도체 산업 관련 주요 뉴스 요약

  • 이도윤
  • 2025년 6월 19일
  • 3분 분량

마이크론·CXMT DDR4 생산 중단…D램 게임의 룰 바뀐다

(2025년 6월 18일, 이데일리, 김소연 기자)


[핵심 요약]


[1] 주요 메모리 업체 DDR4 생산 중단 선언

마이크론과 중국의 CXMT가 각각 DDR4와 LPDDR4 D램 생산을 단계적으로 중단한다고 공식 발표함. 마이크론은 향후 2~3분기 내 고객사에 공급을 종료하겠다고 통지했으며, 이는 PC 및 서버용 D램 시장에 직접적인 영향을 미침


[2] 반도체 시장 구조 변화, ‘원가 중심’에서 ‘성능 중심’으로 전환

대규모 생산으로 원가를 절감하는 시대가 끝나고, 이제는 기술력과 성능이 시장에서 더 중요한 요소로 부상함. 한정된 생산능력 내에서 수익이 높은 고부가가치 제품에 집중하는 것이 핵심 전략으로 자리잡음


[3] DDR5 등 신기술 주력, 시장 재편 가속화

마이크론은 1γ(감마) 공정 기반 LPDDR5X 및 DDR5 샘플을 고객사에 출하하며, DDR5 시장에서의 점유율 확대에 적극적으로 나서고 있음. 이는 국내 메모리 기업에도 직접적인 경쟁 압력으로 작용함


[4] 마이크론, 기술력·미국 정부 지원 바탕으로 공격적 투자 확대

마이크론은 생산능력 확충과 기술력 강화를 위해 미국 정부의 지원을 받으며 공격적으로 투자를 늘리고 있음. 삼성전자와의 점유율 격차는 9.4%포인트로, 마이크론의 약진이 지속될 것으로 전망됨


[5] 차세대 D램 기술 개발 필요성 대두

고부가가치, 하이엔드 D램 시장에서의 경쟁력 확보를 위해 국내 메모리 기업들도 차세대 D램(예: 1c 이후, 3D D램 등) 개발에 속도를 내야 한다는 지적이 제기됨



창신 D램·양쯔 낸드…中 '반도체 굴기' 첨단칩 노린다

(2025년 6월 18일, 서울경제, 허진 기자)


[핵심 요약]


[1] 중국 메모리 업체, 첨단칩 시장 진출 본격화

중국의 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)가 구형 시장을 넘어 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단칩 시장에 진출하며, 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 업계에도 긴장감을 확산시키고 있음


[2] HBM 시장 정조준, CXMT의 공격적 확장

CXMT는 올해 말까지 HBM3 양산 인증 절차를 완료한다는 목표를 세우고 있으며, 베이징·허페이 등 공장 확장을 통해 HBM 생산능력을 확충하고 있음. 업계는 CXMT가 2년 내 HBM3E(5세대) 양산도 가능할 것으로 전망함


[3] YMTC, 낸드 분야에서 기술 선도

YMTC는 업계 최초로 294단 낸드를 양산하며 기술 리더십을 과시하고 있으며, 독자 하이브리드본딩 기술은 국내 기업들도 사용할 정도로 앞선 것으로 평가됨


[4] 정부 지원 및 내수 기반, R&D 투자 확대

중국 정부의 재정 지원과 내수 시장 기반이 바탕이 되어, 중국 업체들은 첨단 시장 진출 시 재정 자립도와 R&D 역량을 동시에 강화할 수 있음. 2024년 기준 중국 반도체 R&D 투자 비중은 9.2%로, 주요 경쟁국 대비 증가세임


[5] 장기적 시장 영향 및 경쟁 구도 변화 전망

미국의 수출 제한으로 중국 내 HBM 수요가 증가할 것으로 보이며, 중국 업체가 이 수요를 해소하고 세계 시장에 진출할 경우, 향후 첨단칩 시장 경쟁 구도에 큰 변화가 예상됨



美 마벨, 맞춤형 S램 칩 시장 정조준...韓 반도체 업계에 기회

(2025년 6월 18일, ZDNet Korea, 전화평 기자)


[핵심 요약]


[1] 마벨, 맞춤형 AI반도체 전략으로 시장 판도 변화 예고

글로벌 반도체 기업 마벨이 맞춤형(Custom) AI반도체 전략을 전면에 내세우며, 2나노 공정 커스텀 S램을 통해 AI 인프라 시장에서 선두주자로 입지를 강화하고 있음


[2] 2나노 맞춤형 S램, AI워크로드 최적화 메모리

기존 10~20나노 S램을 TSMC 2나노 공정으로 양산하며, AI 가속기 연산 중간 데이터 전송 지연 시간을 크게 단축함. AI 전용 커스텀 IP 형태로 공급돼 S램 면적 15% 감소, 동일 밀도에서 표준 SRAM 대비 최대 66% 적은 전력 소비 등 차별화된 성능을 구현함


[3] 국내 반도체 업계에 협업 기회 제공

마벨은 팹리스(설계전문) 기업으로, 생산은 외주에 의존함. 국내 파운드리(삼성전자 등)와 메모리 업체가 잠재적 협력 파트너로 부상하고 있음. 맞춤형 칩 생산을 위한 IP, 패키징 등 협력사 확대가 필수적임


[4] AI 메모리(HBM)와 연계, 플랫폼 확장 가능성

메모리 업체 입장에서는 S램 IP를 통한 고속 XPU IP 플랫폼 확장과 HBM과의 공동 최적화가 가능해, AI 메모리 시장에서 새로운 기회가 열릴 것으로 전망됨


[5] 장비업체에도 간접적 기회, 단기 영향은 제한적

맞춤형 S램에 필요한 테스트·패키징 장비 분야에서 국내 장비업체에 기회가 있으나, 단기간 내 실질적 영향은 제한적일 것으로 보임



삼성 파운드리, 글로벌 EDA 3사와 2나노 최적화

(2025년 6월 18일, 전자신문, 박진형 기자)


[핵심 요약]


[1] 글로벌 EDA 3사와 2나노 공정 최적화 협력

삼성전자 파운드리가 글로벌 전자설계자동화(EDA) 기업 케이던스·시높시스·지멘스와 함께 2나노미터(㎚) 파운드리 공정(SF2·SF2P) 최적화를 위한 협력을 강화하고 있음


[2] 설계 자동화 및 IP 공급 확대

EDA 3사는 삼성 2나노 공정에 맞춘 설계 자동화, 반도체 설계자산(IP) 공급 확대, 전력 분석 및 검증 기술 협력에 나섰으며, 삼성의 ‘하이퍼 셀’과 ‘로컬 레이아웃 효과(LLE) 2.0’ 기술도 지원함


[3] 고속 인터페이스 및 자동차·보안 IP 제공

DDR5, LPDDR6, PCIe, UCIe, USB, MIPI 등 고속 인터페이스와 자동차용 PHY, 보안 IP, 기존 아날로그 IP를 최신 공정에 맞게 빠르고 정확하게 이전·검증하는 도구와 솔루션을 제공함


[4] 첨단 2.5D·3D 패키징 기술 협력

삼성은 EDA 3사와 2.5D·3D 반도체 패키징 기술에서도 협력을 강화하며, 시높시스는 삼성의 2.5D 패키지 기술 기반 HBM3 스택 다이 설계를 성공적으로 테이프아웃함


[5] 설계 효율 및 신뢰성 분석 기술 공조

지멘스는 실리콘 인터포저 기반 다이 간 안테나 효과와 정전기 방전(ESD) 검증 자동화를, 케이던스는 3D-IC 기반 고속 CPU 설계에서 전압 강하 문제 80~90% 해결 솔루션을 제공하며, 실리콘 포토닉스 설계 검증·고속 테스트·결함 진단·신뢰성 분석 기술 등에서도 협력함



​뉴스레터 신청

icon

경기 수원 영통구 창룡대로256번길 77 (에이스광교타워3), B214호

Tel. 031-548-4402     / Fax. 031-548-4403

Email. info@sptakorea.com

© Copyright 2025 SPTA TIMES All Rights Reserved

bottom of page