[제20250619-TM-01호] 2025년 6월 19일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약

삼성, 차세대 D램 수율 개선되자 즉각 설비 투자…HBM4 양산도 청신호

(2025년 6월 19일, 서울경제, 강해령 기자)

[핵심 요약]

[1] 차세대 D램 수율 개선으로 즉각 설비 투자

삼성전자가 10나노급 6세대 D램 수율이 50~70%로 개선되자, 지체 없이 양산 라인 투자에 돌입했음. 지난해 30% 미만이었던 수율 대비 큰 진전임

[2] 설계 변경 등 과감한 기술 도전

칩 효율성과 생산성 개선을 위해 설계 구조를 다양하게 변경했으며, 양산 일정이 1년 이상 늦춰질 수 있는 리스크를 감수하면서도 재설계에 나섰음. 결과적으로 기술 개선에 성공했음

[3] 풍부한 자원 기반 빠른 투자 결정

삼성전자는 풍부한 현금과 공정 노하우를 바탕으로, 양산 시험 완료 직후 바로 생산에 들어갈 수 있도록 설비 투자를 앞당겼음

[4] 모바일·서버 D램과 HBM4 동시 대응

평택 4공장에서 모바일·서버용 D램을, 평택 3공장에서 HBM4용 10나노급 6세대 D램을 생산할 예정임. D램 구조가 유사해 HBM4 완성도에도 긍정적 영향이 기대됨

[5] HBM4 양산 청신호, 경쟁사와 차별화

SK하이닉스는 6세대 D램 개발이 완료됐으나 보수적으로 양산을 미루는 반면, 삼성은 기술 초격차 회복을 위해 빠른 투자와 양산을 추진 중임. 연내 HBM4 양산 목표에 청신호가 켜졌음