[제20250701-TM-01호] 2025년 7월 1일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약
- 이도윤
- 2025년 7월 2일
- 3분 분량
삼성 파운드리, 1.4㎚ 2029년 양산…'가동률 회복’ 집중
(2025년 7월 1일, 전자신문, 박진형 기자, 이호길 기자)
[핵심 요약]
[1] 1.4나노 양산 공식 순연, 2029년 목표
삼성전자 파운드리사업부가 1.4나노미터(㎚) 반도체 양산 시점을 기존 2027년에서 2029년으로 2년 늦춘다고 공식 발표함. 경쟁사 TSMC의 2028년 목표보다 1년 늦은 일정임
[2] 2나노 이상 공정 완성도·가동률 회복에 집중
1.4나노 양산을 늦추는 대신, 2나노(SF2) 공정은 올해 양산을 추진하고, 2028년까지 SF2P(2세대), SF2X(3세대) 등 2나노 공정 안정화에 집중할 방침임. 4·5·8나노 등 비교적 안정된 공정의 가동률도 끌어올려 수익성 확보에 주력함
[3] 적자 타개 위한 전략 전환
첨단 공정에서 주요 고객사 이탈로 가동률이 하락해 지난해 4조원 적자를 기록한 것으로 추산됨. 이에 따라 실질적 사업성 제고와 수익성 개선을 위한 전략 전환임
[4] 협력사에 IP 개발·고객 유치 당부
삼성전자는 협력사들에게 공정 완성도 향상을 위한 설계자산(IP) 개발과 고객사 유치에 힘써 달라고 요청함. 이날 텔레칩스, 리벨리온 등 파운드리 고객사들이 협업 사례를 발표함
[5] 세계 최초 경쟁보다 사업성·완성도 중시로 변화
과거 10나노, 3나노 등에서 세계 최초 양산 타이틀을 추구했으나, 공정 완성도에서 TSMC에 뒤처졌다는 평가가 있었음. 업계에서는 이번 일정 조정이 실질적 사업성과 완성도에 집중하겠다는 전략 변화로 해석함
삼성전자, 400단 낸드 상용화 시동…내년 3월 라인 구축
(2025년 7월 1일, 전자신문, 박진형 기자)
[핵심 요약]
[1] 삼성전자, 2026년 3월부터 400단(V10) 낸드플래시 생산라인 구축
삼성전자가 2026년 3월부터 400단 이상(V10) 낸드플래시 생산라인을 구축할 계획임. 상반기 중 설비를 들여와 라인을 갖추고, 시험생산과 안정화 과정을 거쳐 10월 본격 양산에 들어갈 예정임.
[2] V10, 430단·고성능 신기술 적용
V10은 430단으로 알려졌으며, 트리플 레벨 셀(TLC) 기준 집적도가 28Gb/㎟로 전작 대비 56% 개선, 입출력 속도는 5.6GT/s로 75% 빨라짐. PCIe Gen6 낸드 컨트롤러와 함께 데이터센터 시장 공략에 나설 계획임.
[3] 극저온 식각·웨이퍼 투 웨이퍼(W2W) 본딩 등 신기술 도입
수직으로 쌓인 셀 간 채널홀을 뚫기 위해 -70℃ 이하 극저온 식각 장비(램리서치·도쿄일렉트론 장비 검토)를 도입함. 셀과 회로를 각기 다른 웨이퍼에 구현해 붙이는 하이브리드 패키지(W2W 본딩) 기술도 추진 중임.
[4] V10, 데이터센터용 eSSD 시장 공략 첨병 역할
AI 기술 확산으로 고성능·고속 낸드 수요가 늘어나며, V10은 데이터센터용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 시장 공략의 첨병 역할을 할 전망임.
[5] 삼성전자, 세계 최대 낸드플래시 생산 업체로 입지 강화
삼성전자는 이번 400단 이상 낸드플래시(V10) 상용화로 세계 최대 낸드플래시 생산 업체로서의 입지를 더욱 강화할 계획임.
삼성전자, D램 세계 1위 탈환 박차…6세대 'D1c' 개발로 HBM4 탄력
(2025년 7월 1일, 아주경제, 조성준 기자)
[핵심 요약]
[1] 삼성전자, 6세대 D램(D1c) 개발 성공
삼성전자가 6세대 D램(D1c) 개발에 성공해 양산 승인(PRA)을 마쳤음. 대량 생산이 임박함.
[2] HBM4 개발에도 속도…세계 최초 목표
6세대 D램 개발로 차세대 고대역폭메모리(HBM4) 개발에도 가속도가 붙음. 올 하반기 중 HBM4 개발 완료가 목표임. 성공 시 세계 최초가 될 전망임.
[3] 메모리 반도체 1위 탈환 청신호
HBM4 개발 성공 시, 삼성전자가 메모리 반도체 세계 1위 탈환의 분기점을 맞이할 것으로 평가됨. 최근 SK하이닉스에 밀려 1위 자리를 내줬으나, 자존심 회복의 기회가 되고 있음.
[4] 시장 점유율 변화
올해 1분기 글로벌 D램 시장 점유율은 SK하이닉스 36%, 삼성전자 34%, 마이크론 24.3%로 나타남.
[5] HBM3E 퀄테스트 재도전 및 조직 재정비
삼성전자는 HBM3E(5세대) 12단 재설계를 통한 퀄테스트 재도전도 병행 중임. 전영현 부회장 취임 이후 조직 재정비와 설계 개선 노력이 D1c 개발로 이어졌다는 평가임.
“AI칩 급성장”…삼성전자 '평택 P5' 2년만에 재개 추진
(2025년 7월 1일, 서울경제, 강해령 기자)
[핵심 요약]
[1] 삼성전자, 평택 5공장(P5) 건설 재개 추진
삼성전자가 2년 만에 평택 5공장(P5) 건설 재개를 검토 중임. AI 반도체 시장 급성장과 6세대 D램·HBM3E 기술력 개선이 주된 배경임.
[2] P5, 30조원 투자 초대형 복합 팹 설계
가로 650m, 세로 195m 규모로 DRAM·낸드플래시·파운드리 라인을 모두 갖춘 복합 팹으로 건설될 예정임. 총 투자액은 30조원 이상으로 추산됨.
[3] 2023년 기초공사 시작→2024년 초 중단 경과
2023년 기초공사 시작했으나, 반도체 부문 적자(14조8800억원)와 HBM·파운드리 기술 부진으로 2024년 초 공사가 중단됨.
[4] 기술 회복·AI 시장 성장으로 재추진
6세대 D램(10nm) 및 HBM3E 기술력 회복, AI 반도체 시장 규모 전망(2022년 411억$→2028년 1330억$)에 힘입어 재추진 결정함.
[5] 10월 본격 공사 예상, 현장 작업 가동
현재 P5 현장에서 건설자재 재정비 작업 진행 중이며, 이르면 10월 중장비 본격 투입될 전망임.