[제20251015-TE-01호] 2025년 10월 15일 반도체 장비 관련 주요 뉴스 요약

삼성, 최첨단 EUV 선제 투자…D램·파운드리 '반격 시동’

(2025년 10월 15일, 한국경제, 황정수•김채연 기자)

[핵심 요약]

[1] 하이 NA EUV 장비 도입

삼성전자가 내년 상반기까지 약 1조1000억원을 투자해 ASML의 최신형 하이 뉴메리컬어퍼처(NA) EUV 장비 2대를 도입할 계획임.

[2] 초미세공정 핵심 장비

이 장비는 기존 EUV보다 1.7배 더 세밀하게 회로를 그릴 수 있어 2nm 이하 초미세공정과 고성능 D램 제조에 필수적임.

[3] 고가 장비 도입 본격화

연구개발용에서 벗어나 제품 양산용으로 전환하며 대당 약 5500억원으로 고가임.

[4] 첨단 제품 생산 활용

2nm 공정의 엑시노스2600, 테슬라 AI 반도체, 2027년 VCT D램 등 차세대 제품에 적용할 예정임.

[5] 기술력 회복 가속화

삼성전자는 HBM4에서 SK하이닉스 등에 뒤졌으나 HBM4E 동작 속도 13Gbps 공개 등 기술력 회복에 박차를 가하고 있음.

(2025년 10월 15일, 매일경제, 이새봄 기자)

[핵심 요약]

[1] 세메스, HBM 제조용 TC(열압착) 본더로 초정밀 접합 구현

머리카락 두께의 100분의 1, 1㎛ 오차 범위 내에서 칩을 수직으로 쌓는 기술 확보.

[2] HBM, AI 시대 차세대 고속 메모리로 부상

기존 D램보다 데이터 처리속도·신뢰도가 우수, AI·자율주행 등 고신뢰 분야 적용 확대.

[3] 기존 장비 대비 10배 높은 정밀도로 공정 난제 해결

10㎛에서 1㎛로 정밀도 대폭 향상, 미세 온도 변화와 외부 힘에도 안정적 접합 가능.

[4] 칩 본딩·검사 통합 시스템 및 혁신 웨이퍼 스테이지 적용

칩 적층과 불량검사를 한 번에, '에어베어링 실린더'로 접착 압력 미세제어.

[5] 삼성전자 등 대형 고객사 투자 확대, 글로벌 경쟁력 강화

매출 급증, 다양한 칩렛 패키징 대응 플랫폼으로 확장 계획.