[제20251201-TM-01호] 2025년 12월 1일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약

삼성 HBM 생산능력, 하이닉스 첫 추월

(2025년 12월 1일, 서울경제, 서종갑 기자)

[핵심 요약]

[1] 삼성, HBM 생산량 1위 탈환

삼성전자의 HBM 웨이퍼 투입량이 월 17만 장 수준으로 늘어나 SK하이닉스(16만 장)를 처음으로 앞서며 HBM 생산능력 1위에 올랐다는 분석이 제기됨.

[2] 라인 전환·조직 쇄신 효과

범용 D램 라인을 선제적으로 HBM용 1c D램 라인으로 전환하고, 전영현 부회장 취임 후 HBM 개발팀·AVP 사업팀 재편 등 조직 개편을 단행한 것이 수율 안정과 물량 확대에 기여한 것으로 평가됨.

[3] 설비 투자와 P5까지 동원한 증설

평택 P3·P4 라인을 HBM 중심으로 전환·증설하고, 평택 5공장(P5) 골조 공사도 추진하며 메모리 슈퍼사이클 대응을 위한 생산능력 확대에 속도를 내는 중임.

[4] SK하이닉스, 신규 팹으로 재추격 준비

SK하이닉스는 이천 M16 가동률을 높이고 청주 M15X 조기 가동을 추진 중이며, 업계는 양사가 내년쯤 HBM 월 20만 장 체제를 갖추고 2026년 전후로 1위 자리가 다시 뒤바뀔 가능성도 있다고 보고 있음.

[5] HBM4·커스텀 HBM으로 기술 경쟁 심화

HBM4부터는 커스텀 HBM 경쟁이 본격화되며, SK하이닉스는 TSMC와 ‘원팀’으로 베이스다이에 로직 공정을 활용하고, 삼성전자는 메모리·파운드리·패키징을 묶은 턴키 솔루션으로 대응해 기술·수익성 모두에서 우위를 노리고 있음.