[제20251204-TM-01호] 2025년 12월 4일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약

ST, 18나노 공정 '마이크로컨트롤러’ 출시

(2025년 12월 4일, 전자신문, 권동준 기자)

[핵심 요약]

[1] 삼성 파운드리 협업 18나노 MCU 국내 출시

ST마이크로일렉트로닉스 18나노미터 공정 마이크로컨트롤러유닛(MCU) 국내 출시, 삼성전자 파운드리와 협업해 로봇·에너지·우주항공 등 산업용 기기 시장 공략.

[2] STM32V8, Arm Cortex-M85·PCM 메모리 탑재

차세대 고성능 MCU 'STM32V8' 공개, Arm Cortex-M85 기반에 업계 최초 내장 상변화 메모리(PCM) 탑재, ST FD-SOI 공정 적용으로 누설 전류 강점 확보.

[3] 프랑스·삼성 파운드리 공동 생산

STM32V8 프랑스 크롤 공장과 삼성전자 파운드리 통해 제조, 기존 40~180나노 대비 회로 선폭 대폭 축소로 집적도 향상·성능 증가·전력 소모 저감 달성.

[4] 스페이스X 스타링크 위성 탑재 입증

STM32 시리즈 시장 점유율 1위(2022년~), 누적 출하 150억개 돌파, 신제품 스페이스X 스타링크 위성 미니 레이저 시스템 탑재로 저궤도 안정성 검증.

[5] 엣지 AI 시장 공략 강화

STM32V8 '스마트 산업용' MCU로 기기 단 엣지 AI 연산 지원, 최대 800MHz 속도·고밀도 설계로 소형 패키지 대용량 메모리 제공.

(2025년 12월 4일, 파이낸셜뉴스, 임수빈 기자)

[핵심 요약]

[1] 삼성, 1c D램 생산 비중 대폭 확대

삼성전자 10나노급 6세대(1c) D램 생산 비중 크게 늘리고 핵심 장비 추가 반입, HBM4 공급량 확보 위해 전영현 DS부문장 지시 하에 생산라인 가동률 극대화.

[2] 삼성 HBM4 11Gbps 샘플 전달

삼성전자 엔비디아에 HBM4 샘플 전달, 고객 요구 초과 11Gbps 이상 동작 속도 구현, HBM3E 납품 공식화 후 HBM4 품질 인증 통과 시 물량 대폭 확대 전망.

[3] SK하이닉스 HBM4 6개월 만 양산 선언

SK하이닉스 3월 업계 최초 HBM4 12단 샘플 전달 후 6개월 만 양산 체제 구축 선언, 11Gbps 이상 속도로 고객 요구 충족.

[4] 퍼스트벤더 경쟁 양사 물량 공급력 대결

HBM4 초기 인증 넘어 고용량·고속 지속 공급 능력 확보가 퍼스트벤더 결정, 엔비디아 루빈 하반기 출시 일정 고려 시 양사 내년 실적 탄력 기대.