[제20251208-TM-01호] 2025년 12월 8일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약
- 이도윤
- 12월 9일
- 2분 분량
ASM, 화성에 1억 달러 투자해 '혁신제조센터’ 설립
(2025년 12월 8일, 한국경제, 황정환 기자)
[핵심 요약]
[1] 화성 동탄에 혁신제조센터 공식 개소
ASM 경기도 화성에 1억달러 투자한 '혁신제조센터(The Innovation and Manufacturing Center)' 개소, 7400㎡ 부지·연면적 기존 1.5배 확대.
[2] ALD·에피택시 첨단 기술 개발 허브
원자층 증착(ALD)·에피택시(Epitaxy) 솔루션 선도 기업으로 2nm GAA 공정 등 차세대 반도체 제조 핵심 기술 개발 주도.
[3] 한국 PEALD 기술 글로벌 허브 역할
한국 ASM PEALD(플라즈마원자층증착) 기술 글로벌 허브로 자리매김, 2개 첨단 제조 클린룸·물류 창고 완비로 생산 효율 대폭 향상.
[4] CEO "한국 차세대 반도체 혁신 요충지"
히쳄 엠사드 ASM CEO "한국 ASM 글로벌 성장 초석, 혁신제조센터 다음 장 출발점" 강조, 고영인 경기도 부지사·조승문 화성시장 등 참석.
[5] K반도체 생태계 경쟁력 강화 기여
이영석 ASM코리아 대표 "30년 신뢰 파트너십 강화, K-반도체 생태계 경쟁력 제고 주력" 선언, SK하이닉스·삼성 관계자 등 100여명 참석.
'통합형' 삼성 vs '맞춤형' SK하닉…같은 듯 다른 HBM 전략 승자는
(2025년 12월 8일, 아주경제, 조성준 기자)
[핵심 요약]
[1] 삼성, HBM 전담팀 D램개발실 통합
삼성전자 HBM 개발 전담팀을 D램개발실 산하 설계조직으로 흡수, 비상 체제 종료 후 메모리 통합 개발 체계 구축으로 설계 효율·자원 배분 강화.
[2] SK하이닉스, 미국에 풀스택 AI 메모리 조직
SK하이닉스 미국에 HBM 개발·품질·리서치 전담 조직 신설, 엔비디아·구글·MS 등 AI 칩 고객 맞춤형 양산·공정 리스크 관리 강화.
[3] 삼성 IDM 통합형 HBM4E·커스텀 전략
삼성 메모리·파운드리·패키징 종합 역량 활용 통합형 전략, HBM4E·커스텀 HBM에서 대규모 생산·설계 효율 시너지 기대.
[4] SK하이닉스 고객 특화 품질·커스터마이징 우위
SK하이닉스 GPU·AI 칩 패키징 연동 속도 중시, 미국 고객사와 긴밀 협업으로 HBM4 주도권 유지 전략 구사.
[5] HBM 밸류체인 통합 능력 승부처
양사 전략 차별화 속 AI 칩 시장 TPU·ASIC·NPU 다변화 환경에서 HBM 단품 아닌 전체 밸류체인 통합 경쟁력 결정적 요인 전망.
SK하이닉스, 내년 HBM4 '램프업' 탄력 운영
(2025년 12월 8일, ZDNet Korea, 장경윤 기자)
[핵심 요약]
[1] HBM4 양산 시점 3~4월로 조정
SK하이닉스 HBM4 본격 양산 시점 당초 2월에서 3~4월로 늦추고 램프업(생산 확대) 시기도 2분기 말에서 3분기로 조정.
[2] 엔비디아 루빈 출시 일정 연동
엔비디아 차세대 AI 가속기 '루빈' HBM4 채용 제품 출시 지연 가능성에 맞춰 HBM3E 생산 비중 상반기까지 유지 전략 채택.
[3] HBM4 I/O 2048개·파운드리 베이스 다이 특징
HBM4 기존 대비 I/O 단자 2배(2048개) 확대, 로직 다이(베이스 다이) 파운드리 공정 양산으로 기술 난이도 증가.
[4] HBM3E 물량 확대 협상 결과
엔비디아와 HBM 물량 논의 과정에서 HBM3E 공급량 증가 결정, SK하이닉스 2~3만개 샘플 공급 후 본격 양산 전환 조율.
[5] TSMC CoWoS 병목 영향 우려
루빈 칩 제조 핵심 TSMC 2.5D 패키징 CoWoS 생산 병목 지속으로 HBM4 기술 난이도와 양산 일정 차질 가능성 대두.