[제20251218-TE-01호] 2025년 12월 18일 반도체 장비 산업 관련 주요 뉴스 요약

"中, EUV 노광장비 시제품 완성" 중국판 맨해튼 프로젝트

(2025년 12월 18일, 조선일보, 박지민 기자)

[핵심 요약]

[1] 中, EUV 시제품 시험가동…‘중국판 맨해튼 프로젝트’

중국이 선전 보안 연구 시설에서 ASML 독점 영역인 EUV 노광장비 시제품을 완성해 시험 가동 중인 것으로 전해지며 ‘중국판 맨해튼 프로젝트’로 불린다는 평가가 나옴.

[2] ASML 출신 영입·역설계로 2030년 상용 생산 목표

중국 정부가 ASML 출신 인력을 영입해 장비를 분해·역설계하는 방식으로 개발을 추진했으며, 2028년 시제품 생산 목표였으나 현실적 상용 시점은 2030년으로 전망된다는 분석이 제기됨.

[3] EUV 자립 시 한국·대만 수준 초미세 공정 가능성

EUV 확보 시 DUV로 7나노까지 온 SMIC가 3나노 이하 초미세 공정까지 확대할 수 있어, 중국 반도체 생태계가 설계·패키징을 넘어 생산 공정까지 도약할 수 있다는 관측이 나옴.

[4] 자이스 광학·부품 의존 등 기술·부품 한계 여전

독일 자이스 수준의 초정밀 광학계와 내구성을 자체 확보하지 못했고, 시제품에도 ASML 중고 장비·니콘·캐논 부품이 활용된 것으로 알려져 단기간 안정적 상용화에는 한계가 있다는 평가가 제시됨.

(2025년 12월 18일, 지디넷코리아, 권봉석 기자)

[핵심 요약]

[1] 인텔, ASML 2세대 High-NA EUV 장비 인수

인텔이 ASML의 첫 고개구율 EUV 장비 트윈스캔 EXE:5000 두 대에 이어 2세대 장비 트윈스캔 EXE:5200B를 미국 오레곤 힐스보로 팹에 반입하고 인수 시험 절차에 돌입함.

[2] 0.55 NA·시간당 175장 처리 성능

트윈스캔 EXE:5200B는 0.55 NA 플랫폼을 적용해 기존 0.33 NA EUV 대비 더 미세한 패턴 형성이 가능하며, 시간당 최대 175장 웨이퍼 처리와 향상된 이송·저장 장치를 특징으로 함.

[3] 인텔 14A 1.4나노 공정에 High-NA 적용

현재 1.8나노급 인텔 18A 공정은 기존 0.33 NA EUV를 사용하고 있으며, 고개구율 EUV는 1.4나노급 인텔 14A 공정부터 본격 투입될 계획으로 리스크 생산 시점은 이르면 2027년으로 제시됨.

[4] 수십억 달러 투자·웨이퍼 원가 상승 부담

인텔은 장비 가격 10억달러를 포함해 High-NA EUV에 수십억달러를 투자해 TSMC·삼성전자보다 한발 앞선 기술 확보를 노리지만, 인텔 14A 공정에서 웨이퍼 생산 비용 상승 가능성이 지적됨.

[5] 고객사 확보 여부가 최대 관건

시장조사기관 무어 인사이트에 따르면 현재까지 인텔 14A를 검토 중인 두 고객사는 공정 진척과 성능·전력 경쟁력에 만족하는 것으로 알려졌으며, 데이터센터·PC·모바일 등 다분야 수주 확보가 향후 성패를 가를 변수로 꼽힘.