[제20251228-TM-01호] 2025년 12월 28일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약

불붙은 금은동 가격... 반도체 소부장 비상

(2025년 12월 28일, 파이낸셜뉴스, 정원일 • 조은효 • 임수빈 기자)

[핵심 요약]

[1] 금·은·동 가격 1년새 2.5배 급등, 반도체 소부장 비용 압박

AI·반도체·배터리 수요 폭증으로 금·은·동 가격이 1년 만에 2.5배 치솟아 전선·기판 등 소부장 업계 원가 부담이 눈덩이처럼 불어나고 있음.

[2] AI 반도체 수요 확대, CCL 매입가 10%대 상승

삼성전기·LG이노텍 등 기판업체 CCL(동박적층판) 매입가격이 전년 대비 10%대 상승, 금 도금층·동박 소재 비용 증가가 전체 원가에 직접 타격.

[3] 원자재 연동제·헤지 3~4개월 한계, 가격 인상 검토

원자재 가격 연동제와 헤지 전략으로 대응 중이나 단기적 효과에 그쳐 재협상·제품 가격 인상 등 추가 대책 불가피하다는 업계 평가.

[4] 연말 비축 물량 대거 확보 움직임

내년 가격 추가 상승 우려 속 반도체·배터리 기업들이 금·은·동 비축물량을 조기 대량 확보하며 변동성 완화에 안간힘을 쓰는 상황.

[5] 제조업 68% 영업이익 미달, 원부자재 변동 65.7% 1위 요인

상공회의소 조사에서 제조업체 68%가 영업이익 목표 미달성, 원인 1위가 원부자재 가격 변동(65.7%)으로 수출 환차익도 상쇄됨.

(2025년 12월 28일, 전자신문, 권동준 기자)

[핵심 요약]

[1] 엔비디아, 2025년 4분기 HBM 16단 공급 요청

엔비디아가 삼성전자·SK하이닉스·마이크론에 내년 4분기 HBM 16단 납품을 요구하면서, 3사가 양산을 목표로 본격 개발에 착수한 것으로 전해짐.

[2] 현재는 HBM4 12단 시제품·양산 단계, 16단은 차세대 후보

지금 엔비디아에 공급 준비 중인 것은 HBM4 12단이며, 16단은 HBM4 16단 또는 성능·시점에 따라 ‘HBM4E’ 등 새로운 세대로 명명될 가능성이 거론됨.

[3] 16단 구현 위해 웨이퍼 두께 50㎛→30㎛ 수준까지 박형 필요

HBM4의 JEDEC 총 두께 기준은 775㎛로 HBM3E보다 50㎛ 두껍지만, 이 범위 안에서 16단 적층을 위해 개별 칩 두께를 약 30㎛대로 줄이는 박형 기술이 핵심 과제로 지목됨.

[4] 웨이퍼 가공·본딩 공정 난이도 급상승, 장비·소재 혁신 요구

얇아진 웨이퍼가 깨지지 않도록 절단·연마(CMP) 공정 고도화와 함께, 더 얇은 본딩 소재와 우수한 열 방출 구조가 필요해 일부 업체는 신규 가공 장비를 도입한 것으로 알려짐.

[5] TC‑NCF vs MR‑MUF, 본딩 기술 경쟁

삼성과 마이크론은 TC‑NCF(열압착 비전도성 필름), SK하이닉스는 MR‑MUF 방식으로 본딩을 하고 있으며, 현재 약 10㎛ 수준인 본딩층을 더 얇게 가져가는 것이 16단 경쟁력의 관건이라는 평가가 나옴.