[제20260114-TM-01호] 2026년 1월 14일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약

'中 공장 업그레이드'…SK하이닉스, 우시 1a D램 전환 완료

(2026년 1월 14일, 전자신문, 이호길 기자)

[핵심 요약]

[1] 우시 팹 공정 전환 완료

SK하이닉스가 중국 우시 공장의 D램 공정을 기존 1z(10나노미터대 3세대)에서 1a(4세대)로 전환 완료하며 월 18만~19만장 생산능력의 약 90%가 1a 공정으로 전환.

[2] 글로벌 생산 기반 강화

우시 팹이 SK하이닉스 전체 D램 생산량의 30~40%를 담당하는 핵심 생산 거점으로 공정 전환으로 성능 우수한 D램 생산 가능.

[3] EUV 공정 규제 우회

미국의 대중 EUV 장비 수출 규제로 인해 한국에서 극자외선 공정을 진행하고 나머지 작업을 우시에서 마무리하는 분할 공정 방식 도입.

[4] 2년 만에 공정 전환

2024년 1월 공정 전환 계획 발표 후 2년 만에 완료하며 미국 규제 속에서도 생산 기반 확충.

[5] 국내 최첨단·중국 범용 생산 구조

우시에서는 범용 제품 생산, 국내 이천 M14·M16 팹을 중심으로 6세대 1c 공정 업그레이드 투자 추진하며 이원화된 생산 전략 추진.