[제20260202-TE-01호] 2026년 2월 2일 반도체 장비 관련 주요 뉴스 요약

中 EUV 장비 독자 개발 성공?…프로토타입 가동설에 업계 '술렁'

(2026년 2월 2일, 디지털데일리, 배태용 기자)

[핵심 요약]

[1] 중국 EUV 노광장비 프로토타입 완성 발표

중국이 자체 기술로 제작한 극자외선(EUV) 노광장비 프로토타입을 완성하고 고도의 보안 시설에서 성능 테스트를 진행 중이며, 미국 수출 규제로 장비 도입이 원천 차단된 상황에서 이번 성과는 그간 서방 전문가들의 예측을 깨는 결과.

[2] ASML의 예측과 현실의 간극

올해 초 크리스토프 푸케 ASML CEO가 중국의 EUV 독자 개발이 "수많은 시간이 걸릴 것"이라며 사실상 불가능에 무게를 둔 것과 달리 중국의 프로토타입 개발이 현실화됨.

[3] 시제품과 양산의 격차와 기술적 난제

EUV 장비는 10만 개 이상의 부품과 초정밀 거울 시스템이 완벽하게 맞물려야 하는 복잡한 시스템이며, 현재 중국 프로토타입은 극자외선 광원 생성 수준으로 실제 웨이퍼 단위 균일 칩 생산까지는 수년의 보완 작업이 필요할 것으로 분석.

[4] ASML의 상용화 과정과 투자 규모

ASML은 EUV 상용화에만 17년 이상의 기간과 천문학적 자금을 투자했으며, 중국이 같은 수준의 상용화에 도달하려면 상당한 시간과 비용이 추가로 필요할 것으로 예상.

[5] 중국 반도체 자립 전략의 가시적 성과

이번 성과는 중국 정부가 추진해온 '반도체 자립' 목표의 구체적 결과물이며, SMIC 등 최대 파운드리와 국가 연구소를 총동원한 국가 차원의 프로젝트 결과로 평가됨.