[제20260205-TM-01호] 2026년 2월 5일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약

자신감 붙은 삼성…HBM4용 D램 투자로 주도권 쥔다

(2026년 2월 5일, 한국경제, 강해령 기자)

[핵심 요약]

[1] 평택4공장 증설로 HBM4용 1c D램 대폭 확대

삼성전자가 평택4공장(P4)을 중심으로 HBM4용 1c D램 생산능력을 월 12만장 규모로 증설하며, 전체 D램 생산량의 25% 수준을 차지하도록 키움.

[2] 엔비디아 HBM4 퀄 테스트 가장 먼저 통과

HBM4 분야에서 엔비디아의 품질 테스트를 경쟁사보다 먼저 통과해 다음달 양산 출하를 앞두고 있으며, 기술 경쟁력 회복에 자신감을 보임.

[3] 수십조원 규모 설비 투자로 양산 체제 구축

풍부한 자본과 D램 생산능력 세계 1위를 앞세워 대규모 신규 설비 투자를 단행하고, AI 수요 폭증에 적극 대응하는 양산 체제를 완성.

[4] 범용 D램 라인도 1c 공정으로 전환 검토

화성 사업장 구형 D램 라인을 HBM4용 1c D램 공정으로 전환해 생산량을 추가 확보하고, 공급 부족 상황을 반등 기회로 활용하려는 전략.

[5] 메모리 슈퍼사이클 지속 전망 속 공격적 투자

기술 회복과 공급난이 맞물린 올해, HBM4 중심의 생산능력 확대를 통해 시장 주도권을 강화하고 메모리 슈퍼사이클을 이어갈 기반 마련.