[제20260211-TM-01호] 2026년 2월 11일 반도체 제조 관련 주요 뉴스 요약

반도체 신소재 전쟁...독일 머크도 텅스텐 대체하는 '몰리브덴' 국내 양산

(2026년 2월 11일, 조선비즈, 김성민 기자)

[핵심 요약]

[1] AI 반도체 미세화·적층 구조 확산

AI 칩을 더 좁은 면적에 집적하기 위해 미세 회로와 3D 적층 구조가 일반화되고 있으며, HBM처럼 D램을 적층하는 구조가 본격화되고 있음.

[2] 머크, 텅스텐·구리 한계 돌파 위해 몰리브덴 활용

머크는 텅스텐과 구리가 미세 공정에서 전기 저항이 급증하는 문제를 해결하기 위해, 전기 전도성이 뛰어나고 기존 공정과 호환성이 높은 몰리브덴을 새로운 금속 배선 소재로 활용하고 있음.

[3] 충북 음성 공장 가동으로 국내 공급 확대

이 회사는 올해 충북 음성 공장에 몰리브덴 생산 공정을 완공해, 삼성전자·SK하이닉스를 포함한 국내 및 아시아 고객에게 몰리브덴 전구체부터 쳄키퍼(공급장치)까지 통합 설루션을 공급하겠다는 계획을 밝힘.

[4] 고밀도·저비용 공급 기술 강조

머크는 175도 정도로 가열해 일정량과 속도로 공급하는 기술과 함께, 쳄키퍼를 통해 99.5%까지 소모할 수 있는 공급 방식을 통해 공정 비용 절감을 강조하며, 몰리브덴이 3D NAND에서 시작해 로직·D램 공정으로도 확대될 것으로 보고 있음.

[5] 소재·가스 다변화를 통한 경쟁력 강화

50년 이상 사용된 그대로의 특수 가스를 대체해 탄소 배출을 줄이는 신규 가스를 개발하고, 다양한 금속 증착과 초저온 식각 공정을 위한 새로운 소재 연구를 통해 소재 패권을 장악하려는 전략을 추진하고 있음.

(2026년 2월 11일, 뉴스1, 최동현 기자)

[핵심 요약]

[1] HBM4 성능에 강한 자신감

송재혁 DS 부문 최고기술책임자(CTO)는 이달 셋째 주부터 양산 출하하는 HBM4에 대해 매우 만족스럽다고 평가하며, 세계 최고 수준의 기술력을 바탕으로 “삼성의 원래 모습”을 다시 보여주게 됐다고 말함.

[2] 차세대 HBM4E·HBM5 “1위” 목표

삼성은 HBM4에서 입증된 기술력을 HBM4E와 HBM5 라인업으로 이어가며, 이들 제품에서도 시장 1위를 목표로 하고 있다고 밝힘.

[3] 동일 전력 대비 2.8배 성능 ‘cHBM’

삼성은 동일 전력 소모로 HBM4 대비 성능을 2.8배까지 끌어올리는 ‘삼성 커스텀 HBM(cHBM)’을 개발하고 있으며, 고객 맞춤형 구조를 통해 GPU와 HBM 간의 데이터 전송 병목을 줄이는 방식을 검토 중이라고 밝힘.

[4] HBM을 3D로 적층한 ‘zHBM’

삼성은 GPU 위에 HBM을 수직 적층하는 3D 적층 구조의 ‘zHBM’도 준비하고 있다고 밝히며, 이 구조를 통해 대역폭과 전력 효율을 모두 개선할 수 있을 것으로 기대하고 있음.

[5] 기술 결속으로 반도체 패권 회복 선언

삼성이 파운드리·메모리·패키지 기술을 결합해 자체 시스템 아키텍처를 구축하겠다는 방침을 내놓으면서, HBM4를 기반으로 한 기술력을 cHBM·zHBM 등 차세대 제품으로 확장해 AI 시대 반도체 패권을 유지하겠다고 밝힘.